Doktorantūra

Atgal

Fotoelektrocheminis silicio nusodinimas joniniuose skysčiuose

Tyrimų objektas – fotoelektrocheminis silicio sluoksnių ir porėtų struktūrų formavimas  joniniuose skysčiuose. Elektrocheminiai metodai palyginus su tradicine gamyba yra  pranašesni dėl jų ekologiškumo, nulinės anglies emisijos, technologinio saugumo. Plonų Si sluoksnių elektronusodinimas gali pakeisti tradicinius daugiapakopius bei labai imlius energijai Si gamybos procesus, pasižyminčius taip pat ir aukšta CO2 emisija, kaip antai, karboterminė Si redukcija aukštose temperatūrose, produkto gryninimas, liejimas ir pjaustymas. Joniniai skysčiai pasižymi plačiu elektrocheminiu langu, atitinka aukštus sveikatos ir saugumo reikalavimus, jie yra nedegūs, netoksiški ir lengvai biodegraduoja. Tačiau, silicio nusodinimas iš joninių skysčių yra probleminis dėl žemo elektros laidumo kambario temperatūroje. Mes tirsime šviesa katalitintą silicio nusodinimą, panaudojant sąsėdį su n-p dopingo agentais bei metalų priedais. Laukiamieji rezultatai yra svarbūs daugelyje sričių: fotovoltaikoje, antiatspindžio dangų gamyboje, energijos kaupikliuose, baterijose, foto-elektrocheminėje vandenilio gamyboje iš vandens bei jutikliuose.
 
Dėl detalesnės informacijos susisiekite su temos vadovu E. Juzeliūnu