Struktūra

Elektronikos skyrius

Skyriaus vadovas prof., habil. dr. Steponas Ašmontasprof., habil. dr. S. Ašmontas
tel. +370 5 2627124

Elektronikos skyriaus mokslinių tyrimų bei eksperimentinės plėtros darbų kryptys:

  • elektromagnetinės spinduliuotės sąveikos su puslaidininkiniais nanodariniais tyrimas;
  • optinių šuolių puslaidininkiniuose nanodariniuose tyrimas, panaudojant didelio jautrio pavienių fotonų registravimo įrangą;
  • krūvininkų sukinių pernašos reiškinių puslaidininkiniuose nanodariniuose teorinis modeliavimas;
  • triukšmų, elektromagnetines spinduliuotės emisijos ir detekcijos modeliavimas puslaidininkiniuose dariniuose Monte Carlo metodu;
  • naujų inovatyvių mikrobangų, terahercų bei kvantinės elektronikos prietaisų kūrimas.

Tačiau didžiausia skyriaus vertybė ir aukščiausias pasiekimas – tai patirtis. Laboratorijos mokslininkai turi milžinišką patirtį:

  • Monte Carlo metodu modeliuojant triukšmus bei spinduliuotės emisiją ir detekciją puslaidininkiniuose dariniuose;
  • spendžiant Maxwell‘o lygtis bangolaidinėse mikrobangų sistemose;
  • teoriškai bei eksperimentiškai tiriant krūvininkų pernašą sudėtingose puslaidininkinėse sistemose;
  • tiriant karštųjų krūvininkų reiškinius kietakūniuose dariniuose.

Laboratorijos:

SKYRIAUS DARBUOTOJAI


įranga
Skaliariniai Elmika gamybos grandinių analizatoriai leidžia atlikti mikrobangų spinduliuotės sąveikos su puslaidininkiniais dariniais tyrimus dažnių ruože nuo 10 GHz iki 170 GHz, o taip pat atlikti šių darinių voltamperinių ir voltfaradinių charakteristikų matavimus nuostoviosios ir žemo dažnio srovės režime.
   

Agilent puslaidininkių parametrų analizatorius ir LCR matuoklis naudojamas puslaidininkinių darinių voltamperinių ir voltfaradinių charakteristikų matavimams.

 
Turimas Agilent spektro analizatorius leidžia atlikti puslaidininkinių darinių generuojamos elektromagnetinės spinduliuotės tyrimus dažnių ruože nuo 20 kHz iki 325 GHz.
 
Turimos Karl Suess ir Cascade Microtech zondų stotys leidžia atlikti matavimus ant puslaidininkinio padėklo nuostoviosios srovės režime bei 26÷40 GHz ir 75÷110 GHz dažnių juostose. 
   
Originalus kartu su Elmika sukurtas artimojo lauko mikrobangis mikroskopas leidžia tirti medžiagų elektrines savybes plačiame elektrinio laidumo ruože, pradedant dielektrikais ir baigiant metalais, tam naudojant milimetrinio bangų ilgio ruožo elektromagnetinę spinduliuotę.
 
Žemos temperatūros fotoliuminescencijos stendas su dviem fotonų skaičiavimo moduliais. Galima registruoti nuostoviojo srauto ir pikosekundinės trukmės optinius impulsus esant mažam 200-900 nm šviesos intensyvumui temperatūrų intervale 4-300 K ir su spektro skiriamąja geba iki 0,008 nm (arba 0,003 nm geba iki 750 nm bangos ilgio): a) laike koreliuotų pavienių fotonų skaičiavimo modulis leidžia matuoti nuo 10 ps iki 2 µs trukmės fotoliuminescencijos kinetikas, fotonų koreliacijas ir laikinės skyros fotoliuminescencijos spektrus; b) valdomas fotonų skaitiklis leidžia matuoti fotoliuminescencijos spektrus ir jų kinetiką nuo 250 ns.
 
Turima skystinės epitaksijos puslaidininkinių sluoksnių auginimo įranga leidžia pasigaminti norimos konfigūracijos epitaksinius puslaidininkinius darinius Elektronikos skyriuje kuriamiems mikrobangų, infraraudonosios spinduliuotės, rentgeno spinduliuotės jutikliams, originaliems saulės elementams. 
   
Veikia nedidelis mikroelektoninės technologijos modulis, skirtas nedidelės apimties puslaidininkinių elektronikos prietaisų eksperimentinei gamybai.
 
Adatinis Dektak-6M profilometras skirtas bandinių paviršių reljefo matavimams nanometrų skalėje. Juo galima išmatuoti paviršių vertikaliuosius matmenis kelių nanometrų tikslumu.
   
Optinis parametrinis osciliatorius (λ=1.4÷4.2 µm), kaupinamas Nd:YAG lazerio spinduliu (λ=1.06 µm, impulso trukmė ~10 ns) (Ekspla UAB).
 
Derinamo bangos ilgio CO2 lazeris (λ=9.2÷10.8 µm). Galia nuolatinės veikos režime 20-40 W. Impulsinės veikos režime impulso galia 2-5 kW, impulso trukmė ~150 ns (Edinburgh Instruments Ltd).
 
Optiškai kaupinamas tolimosios infraraudonosios spektro srities derinamo dažnio lazeris, dirbantis nuolatinės veikos bei impulsiniame režime ir spinduliuojantis virš 50 diskretinių linijų λ ~ 50 - 700 μm (atitinkamai ƒ~ 6 – 0,4 THz) spektro srityje (Edinburgh Instruments Ltd.).
Vykdomi projektai
  • LMT finansuojamos Lietuvos-Ukrainos programos projektas „Saulės elementų formavimo naujos technologijos sukūrimas, panaudojant plonasluoksnes varizonines porėto Si struktūras su įterptomis plazminėmis metalo nanodalelėmis ir elektrostatinį krūvį turinčiu feroelektriniu sluoksniu“, vad. S.Ašmontas, sutartis Nr. TAP LU–5–2016, projekto trukmė 2016 – 2017 m.
    Elektrocheminiu ėsdinimu bei intensyvia lazerio šviesa formuojamas porėtojo silicio nanometrinių darinių sluoksnis. Tokiems nanometriniams dariniams yra būdingas varizoniškumas, todėl jie leis praplėsti naudingai sugeriamos šviesos spektrą ir tuo pačiu susilpninti nepageidaujamus karštųjų elektronų reiškinius, mažinančius saulės elemento efektyvumą. Taipogi saulės šviesos sugerčiai padidinti bus naudojamos plazminės metalo nanodalelės, įterptos į porėtojo silicio paviršių. 
  • LMT Mokslo programos „Link ateities technologijų“ projektas „Nauji plačiajuosčiai elektromagnetinės spinduliuotės jutikliai su dvimatėmis elektronų protakomis“, vad. A. Sužiedėlis, sutartis Nr. LAT‐03/2016, projekto trukmė 2016 – 2018 m.
    Įgyvendinus LTDEP projektą bus išsiaiškintas elektromagnetinės spinduliuotės detekcijos mechanizmas asimetrinės geometrijos lauko‐tranzistoriniame darinyje su daline sklende virš dvimatės elektronų protakos, šių darinių pagrindu sukurtas jautrus spinduliuotės jutiklis ir praplėstas detektuojamos spinduliuotės ruožas iki rentgeno spindulių. 
svarbiausios publikacijos
  1. J. Gradauskas and J. Stupakova. PSi-Based Microwave Detection. In: Porous Silicon: From Formation to Application: Biomedical and Sensor Applications (Ed. By G. Korotcenkov), Vol. 2, Chapter 9, 185-196, 2016.
  2. A. Dargys, A. Acus, Cliffordo geometrinė algebra ir jos taikymai, Vilnius, Petro ofsetas, 2015. 386 p. ISBN 9786094204371. 
  3. A. Čerškus, J. Kundrotas, A. Sužiedėlis, J. Gradauskas, S. Ašmontas, E. Johannessen, A. Johannessen. Peculiarities of photoluminescence of vertical n+/n-GaAs/Al0.25Ga0.75As MBE- and MOCVD-grown structures designed for microwave detectors. Appl. Phys. A, Vol. 120, Iss. 3, 1133–1140, 2015. ISSN: 0947-8396 (Print), 1432-0630 (Online).
  4. J. Starikov, P. Šiktorov, V. Gružinskis, H. Marinchio, C. Palermo, L. Varani, Effect of gate-length shortening on the terahertz small-signal and self-oscillations characteristics of field-effect transistors, Solid-state Electronics, ISSN 0038-1101. Vol. 114, 141–147 (2015).
  5. A. Tamaševičius, G. Mykolaitis, E. Tamaševičiūtė, S. Bumelienė, Two-terminal feedback circuit for suppressing synchrony of the FitzHugh- Nagumo oscillators, Nonlinear Dynamics, Vol. 81, No. 1-2, 783-788, 2015.
  6. V. Kosyak, Y. Znamenshchykov, A. Čerškus, Yu.P. Gnatenko, L. Grase, J. Vecstaudza, A. Medvids, A. Opanasyuk, G. Mezinskis, Composition dependence of structural and optical properties of Cd1−xZnxTe thick films obtained by the close-spaced sublimation, Journal of alloys and compounds, ISSN 0925-8388. Vol. 682, 543–551 (2016).
  7. S. Ašmontas, J. Gradauskas, A. Sužiedėlis, A. Šilėnas, E. Širmulis, V. Vaičikauskas,·V. Vaičiūnas, O. Žalys, L. Fedorenko, L. Bulat. Photovoltage formation across GaAs p–n junction under illumination of intense laser radiation. Opt. Quant. Electron., Vol. 48, No. 9, pp. 48:448 (7 p.), 2016.