N 002 Fizika / Physics
dr. Marius Franckevičius ✉
LT - Elektroninių vyksmų dinamika plačiatarpiuose puslaidininkiuose
Plačiatarpiai puslaidininkiai, kurių draustinės juostos tarpas yra tarp 1.5 - 2 eV, tapo didelio susidomejimo objektu kuriant naujos kartos saulės elementus bei kitus optoelektronikos prietaisus. Šioms medžiagoms priskiriama dalis neorganinių perovskitų bei chalkogenidų klasės junginių iš kurių CsPbBr3, AgBiS2 ar Sb2Se3 yra ko gero šiuo metu plačiausiai naudojami siekiant suformuoti našius ir stabilius saulės elementus. Nepaisant didelio susidomėjimo, šių puslaidininkių formavimo technologijos dar nėra optimizuotos, be to sėkmingas tolesnis jų panaudojimas fotovoltiniuose elementuose reikalauja fundamentaliųjų žinių apie šviesos sugertį, krūvio atskyrimą ir transportą, nuostolius bei jų valdymo galimybes legiruojant įvairiornis priemaišomis ar keiciant jų sudėtį. Doktorantūros studijų metu bus tiriamos minėtų klasių junginių fotoelektrinės savybės pradedant nuo krūvininkų sugerties iki jų ištraukimo į elektrodus siekiant nustatyti pagrindinius puslaidininkių parametrus: draustinės juostos tarpą, krūvininkų judrį, jų gyvavimo trukmes ir t.t.
EN - Dynamics of electronic processes in wide-bandgap semiconductors
Wide-bandgap semiconductors, which have a bandgap between 1.5 and 2 eV, are of great interest for the development of new generation solar cells and other optoelectronic devices. These materials include some of the inorganic perovskite and chalcogenide compounds, of which CsPbBr3, AgBiS2, or Sb2Se3 are currently the most commonly used to fabricate efficient and stable solar cells. Despite the great interest, the fabrication technologies of these semiconductors are not yet optimized, and their successful use in photovoltaic cells requires a fundamental understanding of light absorption, charge separation and transport, losses and the possibilities of their control by doping with various impurities or changing their composition. During the PhD study, the candidate will investigate the photoelectric properties of the most advanced wide-bandgap semiconductors, starting from the generation of charge carriers to their extraction to the electrodes, in order to determine the main parameters of semiconductors such as bandgap, mobility of charge carriers, their lifetime, etc.