Šis tyrimas skirtas pažangių stibidinių medžiagų sistemų (pvz., GaSb, InGaAsSb, InAs/AlAsSb) kūrimui didelės spartos optoelektroniniams įtaisams, veikiantiems telekomunikacijų bangų ruože (nuo 1,3 µm iki 1,55 µm). Stibidai pasižymi unikaliomis savybėmis, tokiomis kaip maža elektrono efektyvioji masė, didelis elektronų judris ir galimybė keisti draustinių energijų tarpą. Tyrimas nagrinės šių medžiagų auginimą naudojant molekulinių pluoštelių epitaksiją (MBE) ir jų pritaikymą didelės spartos fotodetektoriuose, lazeriuose ir moduliatoriuose. Tyrimo tikslas – pasiekti didelio greičio duomenų perdavimą, mažą triukšmą ir efektyvią šviesos detekciją, taikant šias technologijas naujos kartos skaidulinio optinio ryšio sistemose.
This research focuses on the development of advanced antimonide-based material systems (e.g., GaSb, InGaAsSb, InAs/AlAsSb) for high-speed optoelectronic devices operating in the telecom wavelength range (1.3 µm to 1.55 µm). Antimonide-based materials offer unique properties, such as low electron effective mass, high electron mobility, and the ability to engineer bandgaps for specific applications. The study will explore the growth of these materials using molecular beam epitaxy (MBE) and their application in high-speed photodetectors, lasers, and modulators. The research aims to achieve high-speed data transmission, low noise, and efficient light detection, targeting next-generation fiber-optic communication systems.