Šis tyrimas yra skirtas InGaAsSb pagrindu sukurtų fotomikserių vystymui, siekiant išplėsti jų darbinį bangos ilgio diapazoną, įskaitant telekomunikacijų (1,3 µm–1,55 µm) ir vidutinio infraraudonųjų spindulių (MID-IR) sritis. Dėl mažos efektyviosios elektrono masės (~0,039m₀), didelio elektronų judrio ir galimybės inžineriniu būdu pritaikyti jos draustinių energijų tarpą specifiniams bangos ilgio diapazonams, InGaAsSb medžiagu sistema yra laikoma perspektyvia infraraudonosios ir THz srities taiukymuose.
Tyrime bus nagrinėjamas InGaAsSb/InAlAs heterostruktūrų auginimas naudojant molekulinio pluošto epitaksiją (MBE) ir jų taikymas didelės spartos fotomikseriuose terahercų (THz) generacijai ir detekcijai. Pagrindinis tikslas – pasiekti aukštą jautrį, mažą triukšmą ir itin greitą atsako laiką, orientuojantis į taikymus THz spektroskopijoje, vaizdinėje analizėje ir belaidėse ryšio sistemose.
Be to, siekiant sukurti CMOS suderinamus optoelektroninius įrenginius, tyrimas apims InGaAsSb pagrindu sukurtų fotomikserių integraciją su silicio (Si) ir germano (Ge) platformomis.
This research focuses on the development of InGaAsSb-based photomixers for extended wavelength range applications, including the telecom (1.3 µm to 1.55 µm) and mid-infrared (MID-IR) regions. InGaAsSb is a promising material system due to its low electron effective mass (~0.039m₀), high electron mobility, and the ability to engineer its bandgap for specific wavelength ranges. The study will explore the growth of InGaAsSb/InAlAs heterostructures using molecular beam epitaxy (MBE) and their application in high-speed photomixers for terahertz (THz) generation and detection. The research aims to achieve high responsivity, low noise, and ultrafast response times, targeting applications in THz spectroscopy, imaging, and wireless communication systems. Additionally, the study will investigate the integration of InGaAsSb-based photomixers with silicon (Si) and germanium (Ge) substrates for CMOS-compatible optoelectronic devices.