Doktorantūra

Atgal

Lazerinė aktyvacija ultratrumpais impulsais ir katalitinis metalų nusodinimas didelio tankio elektrai laidžių sujungimų formavimui stikle

T 008 Medžiagų inžinerija / Materials Engineering
dr. Karolis Ratautas
 
LT - Lazerinė aktyvacija ultratrumpais impulsais ir katalitinis metalų nusodinimas didelio tankio elektrai laidžių sujungimų formavimui stikle

Didelio tankio elektrinių jungčių stiklo padėkluose suformavimas yra labai svarbus pažangiosios mikroelektronikos ir fotonikos pakuotėms. Šiame tyrime daugiausia dėmesio skiriama cheminiams procesams, lemiantiems besrovį vario nusodinimą lazeriu struktūrizuotose sklylėse, siekiant pagerinti sukibimą, vienodumą ir skylių užpildymą metalu be tuštumų. Ultratrumpųjų impulsų lazerio apdorojimas bus naudojamas stiklo paviršiui modifikuoti, sustiprinant katalizinį sidabro aktyvinimą elektrocheminiam padengimui. Pagrindinis uždavinys - užtikrinti tvirtą vario sukibimą su skylių šoninėmis sienelėmis ir tuo pat metu užtikrinti ištisinį, tolygų padengimą be defektų, kad būtų galima visiškai užpildyti visą skylės tūrį. Optimizuojant paviršiaus chemiją, katalizatoriaus aktyvavimą ir nusodinimo kinetiką, šiuo tyrimu siekiama sustiprinti vario nukleaciją, sumažinti tuštumų susidarymą ir padidinti per stiklo padėklą pereinančių elektrinių jungčių patikimumą. Gauti rezultatai prisidės prie naujos kartos jungčių technologijos, skatinant stiklo substratų integraciją mikroelektronikos, lustų pakavimo ir optoelektronikos srityse.

 
EN - Ultrashort-Pulse-laser activation and catalytic metal seeding for high-density conductive interconnects in glass

The development of high-density interconnects in glass substrates is crucial for advanced microelectronics and photonics packaging. This research focuses on the chemical mechanisms governing electroless copper deposition in laser-structured vias, aiming to improve adhesion, uniformity, and void-free metallization. Ultrashort pulse laser processing will be used to modify the glass surface, enhancing catalytic silver activation for electroless plating. A key challenge is ensuring strong copper adhesion to via sidewalls while achieving continuous, defect-free plating to enable full via filling (bulk copper). By optimizing surface chemistry, catalyst activation, and deposition kinetics, this study seeks to enhance copper nucleation, reduce void formation, and improve the reliability of through-glass vias and conductive bumps. The findings will contribute to next-generation interconnect technology, advancing the integration of glass-based substrates in microelectronic, semiconductor packaging and optoelectronic applications.