Autorius: EVELINA DUDUTIENĖ
Disertacijos pavadinimas: GaAsBi kvantinių duobių ir Bi kvantinių taškų fotoliuminescencijos savybės
Mokslo sritis: Fizika N 002
Mokslinis vadovas: prof., dr. Gintaras Valušis
Gynimo data: 2022-06-15
ANOTACIJA: Šioje disertacijoje pristatomi molekulinių pluoštelių epitaksijos metodu užaugintų GaAsBi kvantinių duobių (QW) temperatūriniai fotoliuminescencijos (PL) tyrimai. GaAsBi struktūros buvo auginamos siekiant jas panaudoti kaip aktyviąją infraraudonojoje spektrinėje srityje veikiančių šviestukų ar lazerių terpę. Pirmojoje rezultatų dalyje tiriant GaAsBi/GaAs QW optinių savybių priklausomybę nuo auginimo sąlygų buvo parodyta, kad dviejų padėklo temperatūrų metodo naudojimas auginant GaAsBi/GaAs QW lemia aukštesnę QW optinę kokybę ir mažesnę krūvininkų lokalizaciją. Antrojoje dalyje pristatomas itin žemoje 300 oC temperatūroje užaugintų pavienių GaAsBi/GaAs QW, turinčių apie 10% Bi, temperatūrinis PL tyrimas. Parodyta, kad nepaisant žemos auginimo temperatūros GaAsBi/GaAs QW kambario temperatūroje liuminescavo ties 0,95 eV, kas atitinka antrąjį telekomunikacijų langą. Trečiojoje rezultatų dalyje buvo parodyta, kad išaugęs fotoliuminescencijos intensyvumas iš GaAsBi QW su paraboliniais AlGaAs barjerais yra susijęs su padidėjusiu krūvininkų pagavimu į QW ir didele krūvininkų lokalizacija, dėl kurios išauga spindulinės rekombinacijos tikimybė. Paskutinėje rezultatų dalyje tiriant GaAsBi/AlAs QW terminio atkaitinimo efektą nustatyta, kad QW atkaitinus 750 °C temperatūroje, ties 0,85 eV atsiradusi papildoma, silpnai nuo temperatūros priklausanti PL juosta yra susijusi su emisija iš Bi kvantinių taškų.
Metai: 2022.