Autorius: Jevgenij Višniakov Disertacijos pavadinimas: ,,Si diodų perjungimo spartos modifikavimas radiacinėmis technologijomis“. Mokslo sritis: Medžiagų inžinerija (08T). Mokslinis vadovas: prof. habil. dr. Eugenijus Gaubas.
Sužinokite naujienas pirmieji
Mūsų svetainė naudoja slapukus (angl. cookies). Šie slapukai yra būtini, kad veiktų svetainė, ir negali būti išjungti.
Jei Jūs sutinkate, su slapukais, spauskite „Sutinku“ ir toliau naudokitės svetaine.
Kad veiktų užklausos forma, naudojame sistemą „Google ReCaptcha“, kuri padeda atskirti jus nuo interneto robotų, kurie siunčia brukalus (angl. spam) ir panašaus tipo informaciją.
Taigi, kad šios užklausos forma užtikrintai veiktų, jūs turite pažymėti „Sutinku su našumo slapukais“.