JONŲ PLUOŠTELIŲ ANALIZĖ

           a) Įvairių teigiamų jonų nuo 0.7 iki 5 MeV energijos implantavimas panaudojant jonų greitintuvą:

• Pvz.: H⁺, C⁺, S⁺ N⁺, Si⁺, O⁺, Mg⁺, Zn⁺, Cu⁺, Ge⁺, Ga⁺, As⁺ ir kt. iki 70 mikrometrų siekio, priklausomai nuo medžiagos struktūros;
• Skirtingų krūvio būsenos jonų implantavimas, pvz.: C⁺ C²⁺ C³⁺ C⁴⁺.
  
  b) Įvairių neigiamų jonų iki 30 keV energijos implantavimas panaudojant neigiamą jonų šaltinį Hiconex, pvz.:
• H^-, C^-, S^- N^-, Si^-, O^-, Mg^-, Zn^-, Cu^-, Ge^-, Ga^-, As^- ;
• Molekulinių jonų implantavimas, pvz.: Al^-, Al₂^- ir kt.
  
  c) Jonų implantavimo optimizavimas atsižvelgiant į tolimesnio post-implantavimo apdorojimo ypatybes, susijusias su naujų medžiagų ir jų kompleksinių struktūrų modifikavimo technologijų kūrimu ir jų diegimu:
  
  
• implantavimo proceso modeliavimas prieš eksperimentą;
• implantavimas sumažinus jonų pluošto įtėkį (iki pA eilės) ir pailginus proceso trukmę (ir atvirkščiai: didesnis įtėkis per trumpesnį laiką);
• kelių skirtingų jonų implantavimas į tą patį taikinį įvairiame gylyje;
• Kelių skirtingų energijų jonų implantavimas (kontaktų formavimas) ir t.t..
  
  d) Jau suformuotų puslaidininkinių struktūrų krūvininkų gyvavimo trukmių koregavimas implantuojant įvairius jonus ir realiuoju laiku (in situ) kontroliuojant krūvininkų gyvavimo trukmių pokyčius.

2. Medžiagų analizė

a) Kietųjų medžiagų kokybiniai (elementų santykiai %, ‰) ir kiekybiniai (absoliučiais vienetais, pagal NIST ar kt. standartus) medžiagų sudėties tyrimai už Mg sunkesniems elementams PIXE (angl. Particle induced x-ray emission) metodu.

b) Paviršinių cheminių elementų koncentracijų į gylį profilių nustatymas RBS (angl. Rutherford backscactering specroscopy) metodu.

c) Oksidų ar kitokių sluoksnių stechiometrijos matavimai ir priemaišinių elementų sluoksniuose nustatymas jungtiniu RBS ir PIXE metodu.

d) Ant filtrų surinktų submikroninės frakcijos aerozolio dalelių kiekybinė sunkiųjų metalų analizė PIXE metodu.

e) Liuminescencijos, sukeltos jonų pluoštelio, tyrimai jonų apšvitos metu.

3. Įvairaus pobūdžio testai tyrimams ir kosmoso technologijoms, pvz.:

a) Elektronikos, optikos, avionikos sistemų apšvita protonais iki 2 MeV ir sunkiais jonais iki 5 MeV energijos;

b) Medžiagų, detalių degazavimo (angl. degassing) dinamika ir susidarančių junginių charakterizavimas;

c) Vakuuminės kameros su bandinių šildymo/šaldymo sistema ir maitinimo bei signalų įvadais nuoma įvairiems prototipų testams;

d) Medžiagų/audinių apšvita atmosferoje naudojant protonų pluoštą.