Autorius: JUSTINAS JORUDAS
Disertacijos pavadinimas: GaN-pagrindu HEMT ir grafeno struktūrų, skirtų THz detektavimui, optinių ir elektrinių savybių tyrimas
Mokslo sritis: Fizika N 002
Mokslinis vadovas: dr. Irmantas Kašalynas
Gynimo data: 2024-09-24
ANOTACIJA: Pastaruoju metu GaN išpopuliarėjo dėl galimybių gerokai išplėsti elektroninių prietaisų ir THz jutiklių veikimo ribas. GaN, tiesiatarpis III-V grupės puslaidininkis, GaN pasižymi didelėmis pramušimo lauko ir elektronų soties greičio vertėmis. Grafenas, dvimatis anglies alotropas su atomais išdėstytais heksagoninėje gardelėje, pasižymi betarpė juostinė diagrama, dideliu elektriniu laidumu ir išskirtiniu šiluminiu laidumu. Integravus grafeną su GaN-pagrindu puslaidininkiais tikimasi pagerinti prietaisų veikimą ir atrasti naujus pritaikymus. Šis darbas skirtas dviejų skirtingų puslaidininkių – GaN heterostruktūrų ir grafeno – THz diapazono optinių ir elektrinių savybių tyrimui, siekiant integracijos THz jutiklių taikymams. Taipogi, GaN ir grafeno integracija yra perspektyvi kryptis, leisianti peržengti tam tikras šiuolaikinės puslaidininkių technologijos ribas.
Metai: 2024.