Autorė: SIMONA PŪKIENĖ
Disertacijos pavadinimas: Infraraudoniesiems jutikliams skirtų bismidinių junginių auginimas ir tyrimas
Mokslo sritis: Medžiagų inžinerija T 008
Mokslinė vadovė: dr. Renata Butkutė
Gynimo data: 2023-09-08
ANOTACIJA: Didelė pažanga pasiekta kuriant GaAsBi kvantinių struktūrų auginimo technologiją, kuri gali būti naudojama įvairiose optoelektroninėse srityse, įskaitant lazerinius diodus, šviesos diodus, fotodetektorius, spintronikos prietaisus ir t.t. Bismidai sulaukė didelio dėmesio dėl savo unikalių fizikinių savybių, pavyzdžiui, didelio draustinių juostų tarpo sumažėjimo, sukinio-orbitinio suskilimo ir mažesnio temperatūrinio jautrumo, lyginant su tradiciniais III-V puslaidininkiniais junginiais. Šioje disertacijoje pateikiami išsamus GaAsBi sluoksnių ir kvantinių struktūrų auginimo MBE metodu ant GaAs padėklų tyrimai. Tyrime daugiausia dėmesio skiriama auginimo parametrų optimizavimui, siekiant kontroliuoti medžiagos struktūrines ir optines savybes. Tyrime sėkmingai nustatytos optimalios auginimo sąlygos, kuriomis galima suformuoti 100 nm storio GaAsBi epitaksinius sluoksnius su 10 % Bi koncentracija, kurie gali būti naudojami GaAsBi detektoriams gaminti. Šiame darbe pirmą kartą pademonstruotas analoginio lydinio gradientinio kitimo metodo naudojimas auginant parabolines kvantines GaAsBi duobes. Parodyta, kad parabolinės GaAsBi kvantinės duobės pasižymi daugiau nei 50 kartų didesniu fotoliuminescencijos intensyvumu, palyginti su stačiakampėmis daugybinėmis GaAsBi kvantinėmis duobėmis. Šiuo tyrimu taip pat nustatyti optimalūs augimo parametrai parabolinėms kvantinėms duobėms formuoti tiek AlGaAs, tiek GaAsBi lazeriniuose dioduose. Pirmą kartą pademonstruotas lazerinis diodas su paraboline GaAsBi kvantine duobe aktyviojoje srityje.
Metai: 2023.