Autorius: VYTAUTAS JAKŠTAS
Disertacijos pavadinimas: Kompaktiški AlGaN/GaN heterosandūriniai terahercinės spinduliuotės šaltiniai ir jutikliai
Mokslo sritis: Fizika 02 P
Mokslinis vadovas: dr. Irmantas Kašalynas
Gynimo data: 2018-11-08
ANOTACIJA:
Sparčiai besiplėtojantys terahercinio (THz) dažnio spinduliuotės taikymai skatina ieškoti naujų medžiagų ir technologinių sprendimų, leidžiančių kurti kompaktiškus, kambario temperatūroje veikiančius, derinamo dažnio elektrinius THz spinduliuotės šaltinius bei sparčius jutiklius. Šio darbo tikslas – iš AlGaN/GaN heterostruktūrų pagaminti didelio elektronų judrio tranzistorius bei „peteliškės“ tipo diodus ir ištirti jų tinkamumą THz spinduliuotei generuoti bei detektuoti.
Disertacijoje aprašoma paprastesnė AlGaN/GaN bandinių gamybos technologija, kurią naudojant pagamintų komponentų (didelio elektronų judrio tranzistorių (HEMT) bei Šotkio diodų) elektriniai parametrai yra palyginami su prekinių komponentų parametrais. Pagamintais AlGaN/GaN tranzistoriniais bei „peteliškės“ tipo diodiniais jutikliais buvo sėkmingai užregistruota prekinio THz šaltinio spinduliuotė. Ištyrus didelio ploto HEMT, turinčių gardelės tipo užtūros elektrodą, spinduliavimo spektrus, viena iš stebėtų smailių priskirta pirmajai neekranuoto plazmono modai. Taip pat parodyta galimybė tirti AlGaN/GaN heterostruktūrose esančias likutines priemaišas matuojant elektroliuminescencijos spektrus.
Metai: 2018