Autorius: ANDRIUS RIMKUS
Disertacijos pavadinimas: Epitaksinių InGaAs kvantinių heterodarinių optinių savybių tyrimai
Mokslo sritis: Fizika N002
Mokslinis vadovas: dr. Bronislovas Čechavičius
Mokslinis konsultantas: dr. Ramūnas Nedzinskas
Gynimo data: 2019-05-31
ANOTACIJA:
Disertacija skirta įvairios morfologijos InGaAs kvantinių taškų, žiedų bei strypelių darinių tyrimams moduliacinės spektroskopijos, fotoliuminescencijos ir fotoliuminescencijos sužadinimo metodais.
Pirmoje darbo dalyje pateikiami InAs kvantinių taškų (QD) sudėtinėje InGaAs/GaAs kvantinėje duobėje optinių tyrimų rezultatai. Atskleistas įtempimus sumažinančio InGaAs sluoksnio poveikis QD optinėms savybėms ir elektroninei sandarai. Lyginant eksperimentinius ir skaičiavimų rezultatus, atlikta išsami optinių šuolių, vykstančių kvantinėje duobėje (QW) ir QD bei temperatūrinių priklausomybių analizė.
Antroji darbo dalis skirta įvairios morfologijos InGaAs kvantinių strypelių (QRods), įterptų į InGaAs QW, elektroninės sandaros ir optinių šuolių tyrimams fotoatspindžio ir fotoliuminescencijos metodais. Buvo eksperimentiškai ištirta As šaltinio įtaka tarpjuostiniams optiniams šuoliams InGaAs kvantiniame strypelyje ir juos supančioje InGaAs QW. Taip pat aprašytas liuminescencijos intensyvumo padidėjimas kuris aiškinamas pagerėjusiu InGaAs kvantinių strypelių elektroninių būsenų kvantiniu ribojimu.
Trečioje dalyje pateikiami InAs kvantinių žiedų (QRings) darinių optiniai tyrimai, kurie parodė reikšmingą tarpjuostinių šuolių tarp pagrindinių QRings būsenų energijos mėlynąjį poslinkį, kuris siejamas su mažu kvantinio žiedo dydžiu (palyginti su QD charakteringu aukščiu). Elektroną lokalizuojančios erdvės sumažėjimas sąlygoja pagrindinio lygmens energijos poslinkį būsenų kontinuumo link.
Metai: 2019