Autorius: IEVA ŽIČKIENĖ
Disertacijos pavadinimas: Puslaidininkinių nanodarinių tyrimai terahercinės spinduliuotės ir optiniais impulsais
Mokslo sritis: Fizika N002
Mokslinis vadovas: dr. Ramūnas Adomavičius
Gynimo data: 2019-11-14
ANOTACIJA:
Disertacija skirta THz impulsų emisijos iš puslaidininkių nanodarinių tyrimams siekiant išsiaiškinti THz spinduliuotės sustiprėjimo po paviršiaus nanostruktūrizacijos priežastis. Tirtos nanostruktūros suskirstytos į tris grupes: nestechiometrinis GaAs (NS GaAs); lazeriu graviruotas GaAs (LIPSS – Laser Induced Periodic Surface Struktures); paviršiui statmenos InAs bei InGaAs nanovielelės (NV) ir pasvirusios GaAs NV. Disertacijoje aprašoma pirmą kartą ištirta THz spinduliuotės emisija iš NS GaAs ir lazeriu graviruoto GaAs sluoksnių. Be to atrasta NS GaAs modifikacija efektyviai spinduliuojanti THz impulsus žadinančiam spinduliui krintant statmenai į puslaidininkio paviršių. Disertacijoje pristatoma nauja metodika, leidžianti nustatyti THz impulsus generuojančio dipolio orientaciją puslaidininkinio padėklo atžvilgiu. Nustatyta, kad šio dipolio orientacija pasikeičia padėklo paviršiuje suformavus pirmų dviejų grupių nanodarinius. Palankesnė minėto dipolio orientacija ir lemia THz spinduliuotės emisijos sustiprėjimą NS GaAs ir LIPSS nanodariniuose. Taip pat nustatyta, kad lazeriu sužadintų nanovielelių visuma THz impulsus spinduliuoja kaip tam tikro lūžio rodiklio n0 plonas sluoksnis. Nustatyta, kad mažesnis nei padėklo n0 lemia palankesnę THz spinduliuotės generavimo kryptį THz impulsus emituojančio dipolio ašies atžvilgiu, kas ir yra pagrindinė THz spinduliuotės emisijos sustiprėjimo pasvirose GaAs NV priežastis.
Metai: 2019