Struktūra

Atgal

Optoelektronikos skyrius

Skyriaus vadovas prof. Gintaras Valušis
tel. +370 5 2649211

Skyrius atlieka fundamentinius ir taikomuosius tyrimus puslaidininkinių medžiagų technologijos ir fizikos srityse, optoelektronikos prietaisų technologijoje ir jų taikymuose. Skyriaus turima moderni puslaidininkių epitaksijos technologinė įranga leidžia užauginti darinius iš naujų medžiagų, tokių, kaip III grupės elementų bismidai, ir pagaminti infraraudonojo ir terahercinių dažnių diapazono optoelektroninius prietaisus. Skyriaus mokslininkai taip pat gali atlikti visą kompleksą standartinių medžiagų optinių savybių matavimų; jie yra sukūrę visą eilę unikalių terahercinės spektroskopijos ir vaizdinimo technologijų.

Laboratorijos:

SKYRIAUS DARBUOTOJAI


įranga

Ultrasparčiosios optoelektronikos laboratorija

  
  • Perderinamo bangos ilgio femtosekundinių impulsų optinis parametrinis generatorius (ORPHEUS, Light Conversion);
  • Ti:safyre femtosekundinis lazeris (MIRA, Coherent);
  • Ti:safyre femtosekundinis lazeris (Femtolaser):
  • Yb:KGW femtosekundinis osciliatorius (Light Conversion);
  • Er:skaiduloje femtosekundinis lazeris (Toptica);
  • THz laikinės spektroskopijos sistema;
  • Optinio kaupinimo THz strobavimo sistema.
  
Optoelektronikos technologijų laboratorija  
  • Veeco GENxplor molekulių pluoštelių epitaksijos (MPE) sistema yra skirta aukštos kokybės  III-V junginių epitaksiniam auginimui ant padėklų iki 3 colių diametro esant labai aukštam auginimo parametrų valdymo tikslumui. Sistema aprūpinta In, Ga, Al, Bi molekuliniais šaltiniais, As2 ir Sb skaldikliais bei Si, Be bei Te legirantais.
  • SVT „III-V MBE System Model C-V-2“ - MPE įrenginys skirtas III-V grupės puslaidininkinių sluoksnių ir kvantinių darinių auginimui. Įrenginys aprūpintas In, Ga, Al, Bi molekuliniais šaltiniais, As2 skaldikliu bei Si ir Be legirantais.
  • Integrated Vacuum Deposition System Model TFDS- 870 - elektroninio spindulio įrenginys skirtas metalų kontaktų ant puslaidininkių struktūrų formavimui. Galima garinti Au, Ge, Ti, Ni, Al, AuGe vieno sluoksnio ar daugiasluoksnes dangas.
  
Puslaidininkių optikos laboratorija  
  • Moduliacinės spektroskopijos stendas (fotoatspindys, elektroatspindys, SPV, l‑moduliacija; hw = 0.5 – 4 eV sritis).
  • Žematemperatūrinės optinės spektroskopijos stendas (foto- ir elektroatspindys, l‑moduliacija, fotoliuminescencija, PLE; hw = 0.56 – 5 eV sritis, 4 – 300 K temperatūrinis intervalas).
  • Daugiakampės spektroskopinės elipsometijos stendas (RC2 Woolam ir sukamo analizatoriaus elipsometrai; hw = 0.4 – 6.2 eV sritis).
  • Poliarizacijos moduliacijos ir magnetooptinių tyrimų stendas (PEM-moduliacija, magnetinis laukas iki 3 T).
  • Fourier IR spektroskopijos stendas (Vertex 70v FT-spektrometras, hw = 0.01 – 0.7 eV, su Ramano ir cirkulinio dichroizmo blokais).
  • Šviesos sklaidos stendas (hw = 1.5 – 4 eV sritis).
  • Shimadzu UV-3600 spektrometras su integruojančia sfera.
  
Terahercinės fotonikos laboratorija  
  • Edinburgh Instruments THz lazeris FIRL-100;
  • VDI dažnių daugintuvas dažnių ruožui 100/200/300/600 GHz;
  • Thermo Scientific Furjė IR spektrometras Nicolet 8700;
  • Vakumuojamas Furjė IR spektrometras;
  • Toptica Terascan 780 sistema;
  • Spektroskopinė THz vaizdinimo sistema;
  • Janis Research uždaro ciklo LHe kriostatas su optiniais lanagais ir elektrinėmis jungtimis;
  • Užpilamas skystu azotu LN2 kriostatas su optiniais lanagais ir elektrinėmis jungtimis;
  • Precizinė zondinė stotis bei laboratoriniai matavimo prietaisai, skirti I/V bei C/V charakteristikų matavimams dc-, ac-, arba impulsiniame rėžimuose.
  
Vykdomi projektai
  • Europos kosmoso agentūros projektas „Bismidai infraraudoniems fotodetektoriams“ (BIRD)Projekto tikslas yra naujųjų A3B5 puslaidininkinių junginių, vadinamų praskiestaisiais bismidų lydiniais, sluoksnių auginimo technologijos sukūrimas. Bi įvedimas į GaAs, GaInAs ir InAs elementarųjį narvelį vietoj arseno atomų stipriai susiaurina junginio draustinių energijų tarpą ir daro juos patrauklius artimųjų ir viduriniųjų bangų taikymams. Vykdant projektą bus įvertintos išvystytų technologijų taikymo perspektyvos dviejose kryptyse: i) epitaksinių bismidų sluoksnių, pasižyminčių ~1 eV draustinių energijų tarpu, taikymas didelio efektyvumo tandeminių fotovoltinių elementų kūrimui ir ii) fotodiodų ir fotodiodinių matricų, jautrių infraraudonosios spektro srities bangoms iki 4 mm, gamybai.
    Projekto vykdymo laikotarpis 2016 01 18-2018 01 18
    Projekto koordinatorius Valstybinis mokslinių tyimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras; vadovas A. Krotkus
    Projekto biudžetas 199 135 eurų

  • FP7 Marie Curie ITN projektas NOTEDEV (Nauji teraherciniai prietaisai)
    NOTEDEV yra Europos Sąjungos Marie Curie programos projektas.  Šio projekto tikslas - įvaldyti vadinamąją Terahercų (THz) elektromagnetinio spektro dalį.  Jungtinis su vienais geriausių Europos universitetų ir industrinių partnerių bendradarbiavimo siekis yra moksliniai tyrimai šioje srityje ir jaunųjų fizikų paruošimas. Teraherciniai šaltiniai bei detektoriai turi daug reikšmingų pritaikymų biologijos, medicinos, saugos ir nedestruktyvaus testavimo srityse.  Kai kurie teraherciniai prietaisai jau dabar yra praktiškai naudojami, tačiau norint visiškai išnaudoti terahercinės elektromagnetinio spektro dalies potencialą, reikia tęsti prietaisų tobulinimą orientuojantis į jų efektyvumą, kompaktiškumą, patikimumą bei kainą. Fizinių ir technologijos mokslų centre (FTMC) vystomi yra puslaidininkiniai THz komponentai laikinės Spektroskopijos (Time-Domain Spectroscopy, TDS) sistemoms aktyvuojamoms 1,55 μm femtosekundinių lazerių impulsais.  Šie femtosekundiniai lazeriai užtikrintų THz-TDS sistemos konkurencingą kainą ir kompaktiškumą.
    Projekto trukmė 2014 10 01 – 2017 09 30
    Projekto koordinatorius Durham’o universitetas, JK; FTMC grupės vadovas Arūnas Krotkus
    FTMC skirta biudžeto dalis 185 000 Eurų

  • Nepoliniai ZnO ploni sluoksniai: su auginimu susijusios struktūrinės ir optinės savybės (programa „Mutual Funds Taiwan – Latvia – Lithuania“, 2014-2016, vadovas – R. Nedzinskas, 3500-P246, 3500-U11)

  • Projektas LAT-04/2016 (3500-P330) „Kompaktiški integriniai THz komponentai ir spektroskopinio THz vaizdinimo sistemos – KITKAS“, LAT-04/2016 (Lietuvos mokslo taryba, 2016-2018). Vadovas – Irmantas Kašalynas

  • Projektas MIP-71/2015 „Bismuto kvantiniai taškai GaAs matricoje – BiNano“, (Lietuvos mokslo taryba, 2015-2017).  Vadovė – Renata Butkutė (Dalius Seliuta)

  • Projektas MIP-14281 „Aktyvių metamedžiagų tyrimas ir taikymas terahercinės spinduliuotės perjungimui ir moduliacijai“ (Lietuvos mokslo taryba, 2014-2017) Vadovas – Žilvinas Kancleris (Dalius Seliuta)

svarbiausios publikacijos
  1. Pačebutas, Vaidas; Karpus, Vytautas; Geižutis, Andrejus; Kamarauskas, Mindaugas; Selskis, Algirdas; Krotkus, Arūnas. Reduction of optical transition energy in composite GaInAsBi quantum wells. Infrared physics and technology. ISSN 1350-4495. 2022, vol. 121, art. n. 104002, p. 1-5.
  2. Bychanok, D.; Padrez, Yaraslau; Liubetski, N.; Arlouski, A.; Kushniarou, U.; Korobov, I.; Halimski, I.; Kulahava, T.; Demidenko, M.; Urbanovič, Andžej; Macutkevič, Jan; Kuzhir, P.. Window tinting films for microwave absorption and terahertz applications. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2022, vol. 131, iss. 2, art. no. 025110, p. 1-7.
  3. Ivaškevičiūtė-Povilauskienė, Rusnė; Paddubskaya, A.; Seliuta, Dalius; Jokubauskis, Domas; Minkevičius, Linas; Urbanovič, Andžej; Matulaitienė, Ieva; Mikoliūnaitė, Lina; Kuzhir, P.; Valušis, Gintaras. Advantages of optical modulation in terahertz imaging for study of graphene layers. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2022, vol. 131, iss. 3, art. no. 033101, p. 1-9.
  4. Lamberti, Patrizia; La Mura, Monica; Tucci, Vincenzo; Nkyalu, Erick; Khan, Ali; Yakovleva, Marina; Valynets, Nadzeya; Paddubskaya, Alesia; Saushin, Aleksandr; Vanyukov, Viatcheslav; Baah, Marian; Urbanovič, Andžej; Svirko, Yuri; Kuzhir, Polina. The performance of graphene-enhanced THz grating: impact of the gold layer imperfectness. Materials. eISSN 1996-1944. 2022, vol. 15, iss. 3, art. no. 786, p. 1-13.
  5. Jorudas, Justinas; Prystawko, Paweł; Šimukovič, Artūr; Aleksiejūnas, Ramūnas; Mickevičius, Jūras; Kryśko, Marcin; Michałowski, Paweł Piotr; Kašalynas, Irmantas. Development of quaternary InAlGaN barrier layer for high electron mobility transistor structures. Materials. eISSN 1996-1944. 2022, vol. 15, iss. 3, art. no. 1118, p. 1-11.
  6. Auksorius, Egidijus; Borycki, Dawid; Wegrzyn, Piotr; Žičkienė, Ieva; Adomavičius, Karolis; Sikorski, Bartosz L.; Wojtkowski, Maciej. Multimode fiber as a tool to reduce cross talk in Fourier-domain full-field optical coherence tomography. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2022, vol. 47, iss. 4, p. 838-841.
  7. Balagula, Roman; Subačius, Liudvikas; Jorudas, Justinas; Janonis, Vytautas; Prystawko, Pawel; Grabowski, Mikolaj; Kašalynas, Irmantas. High-frequency and high-power performance of n-type GaN epilayers with low electron density grown on native substrate. Materials. eISSN 1996-1944. 2022, vol. 15, iss. 6, art. no. 2066, p. 1-12.
  8. Tomczewski, Sławomir; Węgrzyn, Piotr; Borycki, Dawid; Auksorius, Egidijus; Wojtkowski, Maciej; Curatolo, Andrea. Light-adapted flicker optoretinograms captured with a spatio-temporal optical coherence-tomography (STOC-T) system. Biomedical optics express. ISSN 2156-7085. 2022, vol. 13, iss. 4, p. 2186-2201.
  9. Karpus, Vytautas; Čechavičius, Bronislovas; Tumėnas, Saulius; Stanionytė, Sandra; Butkutė, Renata; Skapas, Martynas; Paulauskas, Tadas. Optical anisotropy of CuPt-ordered GaAsBi alloys. Journal of physics D: applied physics. ISSN 0022-3727. 2021, vol. 54, iss. 50, art. no. 504001, p. 1-8.
  10. Adamov, Roman B.; Pashnev, Daniil; Shalygin, Vadim A.; Moldavskaya, Maria D.; Vinnichenko, Maxim Ya; Janonis, Vytautas; Jorudas, Justinas; Tumėnas, Saulius; Prystawko, Paweł; Krysko, Marcin; Sakowicz, Maciej; Kašalynas, Irmantas.  Optical performance of two dimensional electron Gas and GaN:С buffer layers in AlGaN/AlN/GaN heterostructures on SiC substrate. Applied sciences. eISSN 2076-3417. 2021, vol. 11, iss. 13, art. no. 6053, p. 1-14.
  11. Karaliūnas, Mindaugas; Dudutienė, Evelina; Čerškus, Aurimas; Pagalys, Justas; Pūkienė, Simona; Udal, Andres; Butkutė, Renata; Valušis, Gintaras. High precision parabolic quantum wells grown using pulsed analog alloy grading technique: Photoluminescence probing and fractional-dimensional space approach. Journal of luminescence.  ISSN 0022-2313. 2021, vol. 239, art.no. 118321, p. 1-7.
  12. Tumėnas, Saulius; Mackonis, Paulius; Nedzinskas, Ramūnas; Trinkler, Laima; Berzina, Baiba; Korsaks, Valdis; Chang, Liuwen; Chou, Mitch Ming Chi.  Optical properties of lithium gallium oxide. Applied surface science. ISSN 0169-4332. 2017, vol. 421, pt B, p. 837-842. 
  13. Auksorius, Egidijus. Fourier-domain full-field optical coherence tomography with real-time axial imaging. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2021, vol. 46, no. 18, p. 4478-4481.
  14. Devenson, Jan; Norkus, Ričardas; Juškėnas, Remigijus; Krotkus, Arūnas. Terahertz emission from ultrathin bismuth layers. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2021, vol. 46, no. 15, p. 3681-3684.
  15. Klimas, Vaclovas; Bittencourt, Carla; Valušis, Gintaras; Jagminas, Arūnas. Calcination effects of 2D molybdenum disulfides. Materials characterization. ISSN 1044-5803. 2021, vol. 179, art. n. 111351, p. 1-9.
  16. Paddubskaya, Alesia; Valynets, Nadzeya; Maksimenko, Sergey; Kumar, Mukesh; Baah, Marian; Pekkarinen, Markku; Svirko, Yuri; Valušis, Gintaras; Kuzhir, Polina. Terahertz absorber with graphene enhanced polymer hemispheres array. Nanomaterials. ISSN 2079-4991.  2021, vol. 11, iss. 10, art. no. 2494, p. 1-8.
  17. Janonis, Vytautas; Balagula, Roman; Grigelionis, Ignas; Prystawko, Pawel; Kašalynas, Irmantas. Spatial coherence of hybrid surface plasmon-phonon-polaritons in shallow n-GaN surface-relief gratings. Optics express. ISSN 1094-4087. 2021, vol. 29, iss. 9, p. 13839-13851.
  18. Ščajev, Patrik; Soriūtė, Vaiva; Kreiza, Gediminas; Nargelas, Saulius; Dobrovolskas, Darius; Malinauskas, Tadas; Subačius, Liudvikas; Onufrijevs, Pavels; Varnagiris, Šarūnas; Cheng, Hung-Hsiang. Temperature and spatial dependence of carrier lifetime and luminescence intensity in Ge0.95Sn0.05 layer. Materials science and engineering B. ISSN 0921-5107. 2021, vol. 270, art. no. 115204, p. 1-12.
  19. Qi, Liang; Minkevičius, Linas; Urbanovič, Andžej; Švigelj, Andrej; Grigelionis, Ignas; Kašalynas, Irmantas; Trontelj, Janez; Valušis, Gintaras. Antenna-coupled titanium microbolometers: application for precise control of radiation patterns in terahertz time-domain systems. Sensors. ISSN 1424-8220. 2021, vol. 21, iss. 10, art. no. 3510, p. 1-11.
  20. Valušis, Gintaras; Lisauskas, Alvydas; Yuan, Hui; Knap, Wojciech; G. Roskos, Hartmut. Roadmap of terahertz imaging 2021. Sensors. ISSN 1424-8220. 2021, vol. 21, iss. 12, art. no. 4092, p. 1-52.
  21. Malevich, Vitaly Leonidovich; Ziaziulia, Pavel Aliaksandravich ; Norkus, Ričardas; Pačebutas, Vaidas; Nevinskas, Ignas; Krotkus, Arūnas. Terahertz pulse emission from semiconductor heterostructures caused by ballistic photocurrents. Sensors. ISSN 1424-8220. 2021, vol. 21, iss. 12, art. no. 4067, p. 1-11.
  22. Nevinskas, Ignas; Mockus, Zenius; Juškėnas, Remigijus; Norkus, Ričardas; Selskis, Algirdas; Norkus, Eugenijus; Krotkus, Arūnas. Terahertz photoconductivity spectra of electrodeposited Thin Bi films. Materials. ISSN 1996-1944. 2021, vol. 14, iss. 12, art. no. 3150, p. 1-9.
  23. Nevinskas, Ignas; Norkus, Ričardas; Geižutis, Andrejus; Kulyuk, L.; Miku, A.; Sushkevich, K.; Krotkus, Arūnas. Terahertz pulse emission from photoexcited bulk crystals of transition metal dichalcogenides. Journal of physics D: Applied physics. ISSN 0022-3727. 2021, vol. 54, iss. 11, art. no. 115105, p. 1-7.
  24. Siemion, Agnieszka; Minkevičius, Linas; Qi, Liang; Valušis, Gintaras. Spatial filtering based terahertz imaging of low absorbing objects. Optics and lasers in engineering. ISSN 0143-8166. 2021, vol. 139, art. no. 106476, p. 1-8.
  25. Auksorius, Egidijus; Borycki, Dawid; Wojtkowski, Maciej. Multimode fiber enables control of spatial coherence in Fourier-domain full-field optical coherence tomography for in vivo corneal imaging. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2021, vol. 46, no. 6, p. 1413-1416.
  26. Ščajev, Patrik; Onufrijevs, Pavels; Mekys, Algirdas; Malinauskas, Tadas; Augulis, Dominykas; Subačius, Liudvikas; Lee, Kuo-Chih; Kaupuzs, Jevgenijs; Varnagiris, Šarūnas; Medvids, Arturs; Cheng, Hung Hsiang. Extension of spectral sensitivity of GeSn IR photodiode after laser annealing. Applied surface science. ISSN 0169-4332. 2021, vol. 555, art. no. 149711, p. 1-8.
  27. Indrišiūnas, Simonas; Svirplys, Evaldas; Jorudas, Justinas; Kašalynas, Irmantas. Laser processing of transparent wafers with a AlGaN/GaN heterostructures and high-electron mobility devices on a backside. Micromachines. ISSN 2072-666X. 2021, vol. 12, iss. 4, art. no. 407, p. 1-12.
  28. Ksenevich, Vitaly; Dorosinets, Vladimir; Adamchuk, Dmitry; Macutkevič, Jan; Banys, Jūras. Weak localization in polycrystalline tin dioxide films. Materials. ISSN 1996-1944. 2020, vol. 13, iss. 23, art. no. 5415, p. 1-14.
  29. Meisak, Darya; Macutkevič, Jan; Plyushch, Artyom; Polina, Kuzhir; Selskis, Algirdas; Banys, Jūras. Dielectric relaxation in hybrid epoxy/MWCNT/MnFe2O4 composites. Polymers. eISSN 2073-4360. 2020, vol. 12, iss. 3, art. no. 697, p. 1-13.
  30. Jorudas, Justinas; Šimukovič, Artūr; Dub, Maksym; Sakowicz, Maciej; Prystawko, Paweł; Indrišiūnas, Simonas; Kovalevskij, Vitalij; Rumyantsev, Sergey; Knap, Wojciech; Kašalynas, Irmantas. AlGaN/GaN on SiC devices without a GaN buffer layer: electrical and noise characteristics. Micromachines. ISSN 2072-666X. 2020, vol. 11, iss. 12, art. no. 1131, p. 1-13.
  31. Nevinskas, Ignas; Norkus, Ričardas; Geižutis, Andrejus; Kulyuk, L.; Miku, A.; Sushkevich, K.; Krotkus, Arūnas. Terahertz pulse emission from photoexcited bulk crystals of transition metal dichalcogenides. Journal of physics D: Applied physics. ISSN 0022-3727. 2021, vol. 54, iss. 11, art. no. 115105, p. 1-7.
  32. Siemion, Agnieszka; Minkevičius, Linas; Qi, Liang; Valušis, Gintaras. Spatial filtering based terahertz imaging of low absorbing objects. Optics and lasers in engineering. ISSN 0143-8166. 2021, vol. 139, art. no. 106476, p. 1-8.
  33. Agafonov, Vladimir; Nargelienė, Viktorija; Balakauskas, Saulius; Bukauskas, Virginijus; Kamarauskas, Mindaugas; Lukša, Algimantas; Mironas, Audružis; Rėza, Alfonsas; Šetkus, Arūnas. Single variable defined technology control of the optical properties in MoS2 films with controlled number of 2D-layers. Nanotechnology. ISSN 0957-4484. 2020, vol. 31, iss. 2, art. no. 025602, p. 1-12.
  34. Šlekas, Gediminas; Kancleris, Žilvinas Andrius; Urbanovič, Andžej; Čiegis, Raimondas. Comparison of full-wave models of terahertz photoconductive antenna based on ordinary differential equation and Monte Carlo method. European physical journal plus. ISSN 2190-5444. 2020, vol. 135, art. no. 85, p. 1-16.
  35. Drabavičius, Audrius; Naujokaitis, Arnas; Stalnionis, Giedrius; Giraitis, Raimondas; Mockus, Zenius; Kanapeckaitė, Stasė; Kalinauskas, Putinas; Nedzinskas, Ramūnas; Niaura, Gediminas; Juškėnas, Remigijus. Photoelectrochemical, Raman spectroscopy, XRD and photoluminescence study of disorder in electrochemically deposited kesterite thin film. Journal of alloys and compounds. ISSN 0925-8388. 2020, vol. 824, art. no. 153853, p. 1-9.
  36. Grigelionis, Ignas; Kašalynas, Irmantas. Terahertz spectroscopy of thermal radiation from AlGaN/GaN heterostructure on sapphire at low temperatures. Applied sciences. eISSN 2076-3417. 2020, vol. 10, iss. 3, art. no. 851, p. 1-7.
  37. Paulauskas, Tadas; Pačebutas, Vaidas; Geižutis, Andrejus; Stanionytė, Sandra;Dudutienė, Evelina; Skapas, Martynas; Naujokaitis, Arnas; Strazdienė, Viktorija; Čechavičius, Bronislovas; Čaplovičová, Mária; Vretenár, Viliam; Jakieła, Rafał; Krotkus, Arūnas. GaAs1-xBix growth on Ge: anti-phase domains, ordering, and exciton localization. Scientific reports. eISSN 2045-2322. 2020, vol. 10, art. no. 2002, p. 1-12.
  38. Tumėnas, Saulius; Ragaliauskas, Tadas; Penkauskas, Tadas; Valanciute, Audrone; Ambrulevičius, Filipas; Valinčius, Gintaras. Solvent effects on composition and structure of thiolipid molecular anchors for tethering phospholipid bilayers. Applied surface science.ISSN 0169-4332. 2020, vol. 509, art. no. 145268, p. 1-9.
  39. Adomavičius, Ramūnas; Nevinskas, Ignas; Treu, J.; Xu, X.; Koblmüller, G.; Krotkus, Arūnas. Pulsed THz emission from wurtzite phase catalyst-free InAs nanowires. Journal of physics D: Applied physics. ISSN 0022-3727. 2020, vol. 53, iss. 19, art. no. 19LT01, p. 1-8.
  40. Janonis, Vytautas; Tumėnas, Saulius; Prystawko, Pawel; Kacperski, Jacek; Kašalynas, Irmantas. Investigation of n-type gallium nitride grating for applications in coherent thermal sources. Applied Physics Letters. ISSN 0003-6951. 2020, vol. 116, iss. 11, art. no. 112103, p. 1-5.
  41. Bertašius, Povilas; Macutkevič, Jan; Banys, Jūras; Gaidukovs, Sergejs; Barkane, Anda; Vaivodiss, Romans. Synergy effects in dielectric and thermal properties of layered EVA composites with carbon and Fe3O4 nanoparticles. Journal of applied polymer science. ISSN 0021-8995. 2020, vol. 137, iss. 24, art. no. 48814, p. 1-8.
  42. Seliuta, Dalius; Vyšniauskas, Juozas; Ikamas, Kęstutis; Lisauskas, Alvydas; Kašalynas, Irmantas; Reklaitis, Antanas; Valušis, Gintaras. Symmetric bow-tie diode for terahertz detection based on transverse hot-carrier transport. Journal of Physics D: Applied Physics. ISSN 0022-3727. 2020, vol. 53, iss. 27, art. no. 275106, p. 1-7.
  43. Minkevičius, Linas; Qi, Liang; Siemion, Agnieszka; Jokubauskis, Domas; Sešek, Aleksander; Švigelj, Andrej; Trontelj, Janez; Seliuta, Dalius; Kašalynas, Irmantas; Valušis, Gintaras. Titanium-based microbolometers: control of spatial profile of terahertz emission in weak power sources. Applied sciences. eISSN 2076-3417. 2020, vol. 10, iss. 10, art. no 3400, p. 1-12.
  44. Paulauskas, Tadas; Pačebutas, Vaidas; Butkutė, Renata; Čechavičius, Bronislovas; Naujokaitis, Arnas; Kamarauskas, Mindaugas; Skapas, Martynas; Devenson, Jan; Čaplovičová, Mária; Vretenár, Viliam; Li, Xiaoyan; Kociak, Mathieu; Krotkus, Arūnas. Atomic-resolution EDX, HAADF, and EELS study of GaAs1-xBix alloys. Nanoscale Research Letters. ISSN 1931-7573. 2020, vol. 15, art. no. 121, p. 1-12.
  45. Pačebutas, Vaidas; Norkus, Ričardas; Karpus, Vytautas; Geižutis, Andrejus; Strazdienė, Viktorija; Stanionytė, Sandra; Krotkus, Arūnas. Band-offsets of GaInAsBi–InP heterojunctions. Infrared physics & technology. ISSN 1350-4495. 2020, vol. 109, art. no. 103400, p. 1-4.
  46. Grivickas, P.; Ščajev, Patrik; Kazuchits, N.; Mazanik, A.; Korolik, O.; Voss, L. F.; Conway, A. M.; Hall, D. L.; Bora, M.; Subačius, Liudvikas; Bikbajevas, Vitalijus; Grivickas, Vytautas. Carrier recombination parameters in diamond after surface boron implantation and annealing. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2020, vol. 127, iss. 24, art. no. 245707, p. 1-6.
  47. Kamarauskas, Mindaugas; Agafonov, Vladimir; Daugalas, Tomas; Balakauskas, Saulius; Mironas, Audružis; Nedzinskas, Ramūnas; Niaura, Gediminas; Treideris, Marius; Šetkus, Arūnas. Photovoltaic effect-driven IR response of heterojunctions obtained by direct CVD synthesis of MoS2 nanolayers on crystalline silicon. Nanotechnology. ISSN 0957-4484. 2020, vol. 31, iss. 42, art. no. 425603, p. 1-12.
  48. Pashnev, Daniil; Kaplas, Tommi Sakari; Korotyeyev, Vadym; Janonis, Vytautas; Urbanovič, Andžej; Jorudas, Justinas; Kašalynas, Irmantas. Terahertz time-domain spectroscopy of two-dimensional plasmons in AlGaN/GaN heterostructures. Applied physics letters. ISSN 0003-6951. 2020, vol. 117, iss. 5, art. no. 051105, p. 1-5.
  49. Pashnev, Daniil; Korotyeyev, Vadym; Jorudas, Justinas; Kaplas, Tommi Sakari; Janonis, Vytautas; Urbanovič, Andžej; Kašalynas, Irmantas. Experimental evidence of temperature dependent effective mass in AlGaN/GaN heterostructures observed via THz spectroscopy of 2D plasmons. Applied physics letters. ISSN 0003-6951. 2020, vol. 117, iss. 16, art. no. 162101, p. 1-5.
  50. Baah, Marian; Obraztsov, Petr; Paddubskaya, Alesia; Bičiūnas, Andrius; Suvanto, Sari; Svirko, Yuri; Kuzhir, Polina; Kaplas, Tommi Sakari. Electrical, transport, and optical properties of multifunctional graphitic films synthesized on dielectric surfaces by nickel nanolayer-assisted pyrolysis. ACS applied materials & interfaces. ISSN 1944-8244. 2020, vol. 12, iss. 5, p. 6226-6233.
  51. Pačebutas, Vaidas; Čechavičius, Bronislovas; Krotkus, Arūnas. Single quantum well diodes from GaInAsBi emitting at wavelengths up to 2.5 μm. Infrared physics & technology. ISSN 1350-4495. 2020, vol. 111, art. no. 103567, p. 1-5.
  52. Paulauskas, Tadas; Čechavičius, Bronislovas; Karpus, Vytautas; Jočionis, Lukas; Tumėnas, Saulius; Devenson, Jan; Pačebutas, Vaidas; Stanionytė, Sandra; Strazdienė, Viktorija; Geižutis, Andrejus; Čaplovičová, Mária; Vretenár, Viliam; Walls, Michael; Krotkus, Arūnas. Polarization dependent photoluminescence and optical anisotropy in CuPtB-ordered dilute GaAs1–xBix alloys. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979.2020, vol. 128, iss. 19, art. no. 195106, p. 1-10.
  53. Norkus, Ričardas; Nevinskas, Ignas; Krotkus, Arūnas. Terahertz emission from a bulk GaSe crystal excited by above bandgap photons. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2020, vol. 128, iss. 22, art. no. 225701, p. 1-6.
  54. Korotieiev, Vadym; Kochelap, V. A. Plasma wave oscillations in a nonequilibrium two-dimensional electron gas: Electric field induced plasmon instability in the terahertz frequency range. Physical review B. ISSN 2469-9950. 2020, vol. 101, iss. 23, art. no 235420, p. 1-15.
  55. Seliuta, Dalius; Šlekas, Gediminas; Valušis, Gintaras; Kancleris, Žilvinas Andrius. Fano resonance arising due to direct interaction of plasmonic and lattice modes in a mirrored array of split ring resonators. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2019, vol. 44, iss. 4, p. 759-762.
  56. Grigelionis, Ignas; Jorudas, Justinas; Jakštas, Vytautas; Janonis, Vytautas; Kašalynas, Irmantas; Prystawko, Pawel; Kruszewski, Piotr; Leszczyński, Michal. Terahertz electroluminescence of shallow impurities in AlGaN/GaN heterostructures at 20 K and 110 K temperature. Materials science in semiconductor processing. ISSN 1369-8001. 2019, vol. 93, p. 280-283.
  57. Paulauskas, Tadas; Klie, Robert F. Decay of high-energy electron bound states in crystals. Ultramicroscopy. ISSN 0304-3991. 2019, vol. 196, p. 99-110.
  58. Paddubskaya, Alesia; Demidenko, Marina; Batrakov, Konstantin; Valušis, Gintaras; Kaplas, Tommi Sakari; Svirko, Yuri; Kuzhir, Polina. Tunable perfect THz absorber based on a stretchable ultrathin carbon-polymer bilayer. Materials. ISSN 1996-1944. 2019, vol. 12, iss. 1, art. no. 143, p. 1-11.
  59. Viter, Roman; Savchuk, Maryna; Starodub, Nickolay; Balevičius, Zigmas; Tumėnas, Saulius; Ramanavičienė, Almira; Jevdokimovs, Daniels; Erts, Donats; Iatsunskyi, Igor; Ramanavičius, Arūnas. Photoluminescence immunosensor based on bovine leukemia virus proteins immobilized on the ZnO nanorods. Sensors and actuators B: Chemical. ISSN 0925-4005. 2019, vol. 285, p. 601-606.
  60. Glemža, Justinas; Palenskis, Vilius; Geižutis, Andrejus; Čechavičius, Bronislovas; Butkutė, Renata; Pralgauskaitė, Sandra; Matukas, Jonas. Low-frequency noise investigation of 1.09 μm GaAsBi laser diodes. Materials. ISSN 1996-1944. 2019, vol. 12, iss. 4, art. no. 673, p. 1-13.
  61. Indrišiūnas, Simonas; Richter, Heiko; Grigelionis, Ignas; Janonis, Vytautas; Minkevičius, Linas; Valušis, Gintaras; Račiukaitis, Gediminas; Hagelschuer, Till; Hübers, Heinz-Wilhelm; Kašalynas, Irmantas. Laser-processed diffractive lenses for the frequency range of 4.7 THz. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2019, vol. 44, no. 5, p. 1210-1213.
  62. Ščajev, Patrik; Miasojedovas, Saulius; Subačius, Liudvikas; Jarašiūnas, Kęstutis; Mazanik, Alexander V.; Korolik, Olga V.; Kato, Masashi. Impact of intrinsic defects on excitation dependent carrier lifetime in thick 4H-SiC studied by complementing microwave photoconductivity, freecarrier absorption and time-resolved photoluminescence techniques. Journal of luminescence. ISSN 0022-2313. 2019, vol. 212, p. 92-98.
  63. Pačebutas, Vaidas; Stanionytė, Sandra; Norkus, Ričardas; Bičiūnas, Andrius; Urbanovič, Andžej; Krotkus, Arūnas. Terahertz pulse emission from GaInAsBi. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2019, vol. 125, iss. 17, art. no. 174507, p. 1-5.
  64. Norkus, Ričardas; Aleksiejūnas, Ramūnas; Kadys, Arūnas; Kolenda, Marek; Tamulaitis, Gintautas; Krotkus, Arūnas. Spectral dependence of THz emission from InN and InGaN layers. Scientific reports. eISSN 2045-2322. 2019, vol. 9, art. no. 7077, p. 1-6.
  65. Ponseca, Jr., Carlito S.; Arlauskas, Andrius; Yu, Hongling; Wang, Feng; Nevinskas, Ignas; Dūda, Eimantas; Vaičaitis, Virgilijus; Eriksson, Jens; Bergqvist, Jonas; Liu, Xiao-Ke; Kemerink, Martijn; Krotkus, Arūnas; Inganas, Olle; Gao, Feng. Pulsed terahertz emission from solution-processed lead iodide perovskite films. ACS Photonics. ISSN 2330-4022. 2019, vol. 6, p. 1175-1181.
  66. Jagminas, Arūnas; Trusovas, Romualdas; Bittencourt, Carla; Kurtinaitienė, Marija; Pakštas, Vidas; Cossement, Damien; Valušis, Gintaras. MoS2 with organic fragment - a new hybrid material for laser writing. Scientific reports. ISSN 2045-2322. 2019, vol. 9, art. no. 7839, p. 1-10.
  67. Beleckaitė, Ieva; Adomavičius, Ramūnas. Determination of the terahertz pulse emitting dipole orientation by terahertz emission measurements. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2019, vol. 125, art. no. 225706, p. 1-8.
  68. Pūkienė, Simona; Karaliūnas, Mindaugas; Jasinskas, Algirdas; Dudutienė, Evelina; Čechavičius, Bronislovas; Devenson, Jan; Butkutė, Renata; Udal, A.; Valušis, Gintaras. Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers. Nanotechnology. ISSN 0957-4484. 2019, vol. 30, iss. 45, art. no. 455001, p. 1-11.
  69. Nevinskas, Ignas; Kadlec, F.; Kadlec, C.; Butkutė, Renata; Krotkus, Arūnas. Terahertz pulse emission from epitaxial n-InAs in a magnetic field. Journal of physics D: Applied physics. ISSN 0022-3727. 2019, vol. 52, iss. 36, art. no. 365301, p. 1-5.
  70. Obraztsov, Petr A.; Chizhov, Pavel A.; Kaplas, Tommi Sakari; Bukin, Vladimir V.; Silvennoinen, Martti; Hsieh, Cho - Fan; Konishi, Kuniaki; Nemoto, Natsuki; Kuwata - Gonokami, Makoto. Coherent detection of terahertz radiation with graphene. ACS Photonics. ISSN 2330-4022. 2019, vol. 6, iss. 7, p. 1780-1788.
  71. Kaplas, Tommi Sakari; Babaeian, Masoud; Cromey, Benjamin; Baah, Marian; Obraztsov, Petr; Akhoundi, Farhad; Peyghambarian, N.; Kieu, Khanh; Svirko, Yuri. Strong optical nonlinearity of ultrathin graphitic films synthesized on dielectric substrates. Applied surface science. ISSN 0169-4332. 2019, vol. 497, art. no. 143766, p. 1-6.
  72. Ivaškevičiūtė-Povilauskienė, Rusnė; Minkevičius, Linas; Jokubauskis, Domas; Urbanovič, Andžej; Indrišiūnas, Simonas; Valušis, Gintaras. Flexible materials for terahertz optics: advantages of graphite-based structures. Optical materials express. ISSN 2159-3930. 2019, vol. 9, iss. 11, p. 4438-4446.
  73. Sai, P.; Jorudas, Justinas; Dub, M.; Sakowicz, M.; Jakštas, Vytautas; But, D.B.; Prystawko, P.; Cywinski, G.; Kašalynas, Irmantas; Knap, W.; Rumyantsev, S. Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors. Applied physics letters. ISSN 0003-6951. 2019, vol. 115, no.18, art. no. 183501, p. 1-5.
  74. Indrišiūnas, Simonas; Svirplys, Evaldas; Richter, Heiko; Urbanovič, Andžej; Račiukaitis, Gediminas; Hagelschuer, Till; Hübers, Heinz-Wilhelm; Kašalynas, Irmantas. Laser-ablated silicon in the frequency range from 0.1 to 4.7 THz. IEEE transactions on terahertz science and technology. ISSN 2156-342X. 2019, vol. 9, iss. 6, p. 581-586.
  75. Minkevičius, Linas; Jokubauskis, Domas; Kašalynas, Irmantas; Orlovas, Sergejus; Urbas, Antanas; Valušis, Gintaras. Bessel terahertz imaging with enhanced contrast realized by silicon multi-phase diffractive optics. Optics express. ISSN 1094-4087. 2019, vol. 27, iss. 25, p. 36358-36367.
  76. Norkus, Ričardas; Nevinskas, Ignas; Krotkus, Arūnas. Spectral dependencies of terahertz emission from femtosecond laser excited surfaces of germanium crystals. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2019, vol. 126, iss. 22, art. no 225704, p. 1-6.
  77. Castro-Gutierrez, Jimena; Palaimienė, Edita; Macutkevič, Jan; Banys, Jūras; Kuzhir, Polina; Schaefer, Sébastien; Fierro, Vanessa; Celzard, Alain. Electromagnetic properties of carbon gels. Materials. eISSN 1996-1944. 2019, vol. 12, iss. 24, art. no. 4143, p. 1-9.
  78. Sandra Stanionytė, Vaidas Pačebutas, Bronislovas Čechavičius, Andrius Bičiūnas, Andrejus Geižutis, Virginijus Bukauskas, Renata Butkutė, Arūnas Krotkus. Impact of thermal treatments on epitaxial GayIn1−yAs1−xBi x layers luminescent properties. Journal of materials science. ISSN 0022-2461. 2018, vol. 53, iss. 11, p. 8339-8346.
  79. Vytautas Janonis, Vytautas Jakštas, Irmantas Kašalynas, Pawel Prystawko, Piotr Kruszewski. Reflectivity of plasmon–phonon modes in grating coupled AlGaN/GaN heterostructures grown on SiC and GaN substrates. Physica status solidi. B, Basic solid state physics. ISSN 0370- 1972. 2018, vol. 255, iss. 5, art. no. 1700498, p. 1-6.
  80. Ignas Grigelionis, Vytautas Jakštas, Vytautas Janonis, Irmantas Kašalynas, Pawel Prystawko, Piotr Kruszewski, Michal Leszczynski. Terahertz electroluminescence of shallow impurities in AlGaN/GaN heterostructures at temperatures above 80 K. Physica status solidi. B, Basic solid state physics. ISSN 0370-1972. 2018, vol. 255, iss. 5, art. no. 1700421, p. 1-5.
  81. Domas Jokubauskis, Linas Minkevičius, Mindaugas Karaliūnas, Simonas Indrišiūnas, Irmantas Kašalynas, Gediminas Račiukaitis, Gintaras Valušis. Fibonacci terahertz imaging by silicon diffractive optics. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2018, vol. 43, iss.12, p. 2795-2798.
  82. Anders Elfwing, Ponseca Jr., Carlito S., Ouyang Liangqi, Andžej Urbanovič, Arūnas Krotkus, Tu Deyu, Forchheimer Robert, Inganäs Olle. Conducting helical structures from celery decorated with a metallic conjugated polymer give resonances in the terahertz range. Advanced functional materials. ISSN 1616-301X. 2018, vol. 28, iss. 24, art. no 1706595, p. 1-8.
  83. Milda Tamošiūnaitė, Simonas Indrišiūnas, Vincas Tamošiūnas, Linas Minkevičius, Andžej Urbanovič, Gediminas Račiukaitis, Irmantas Kašalynas, Gintaras Valušis. Focusing of terahertz radiation with laser-ablated antireflective structures. IEEE transactions on terahertz science and technology. ISSN 2156-342X. 2018, vol. 8, iss. 5, p. 541-548.
  84. Vaidas Pačebutas, Sandra Stanionytė, Andrius Arlauskas, Ričardas Norkus, Renata Butkutė, Andrejus Geižutis, Bronislovas Čechavičius, Arūnas Krotkus. Terahertz excitation spectra of GaAsBi alloys. Journal of physics D: Applied physics. ISSN 0022-3727. 2018, vol. 51, iss. 47, art. no. 474001, p. 1-7.
  85. Vilius Palenskis, Linas Minkevičius, Jonas Matukas, Domas Jokubauskis, Sandra Pralgauskaitė, Dalius Seliuta, Bronislovas Čechavičius, Renata Butkutė, Gintaras Valušis. InGaAs diodes for terahertz sensing-effect of molecular beam epitaxy growth conditions. Sensors. ISSN 1424-8220. 2018, vol. 18, iss. 11, art. no. 3760, p. 1-13.
  86. Uroš Puc, Abina Andreja, Anton Jeglič, Aleksander Zidanšek, Irmantas Kašalynas, Rimvydas Venckevičius, Gintaras Valušis. Spectroscopic analysis of melatonin in the terahertz frequency range. Sensors. ISSN 1424-8220. 2018, vol. 18, iss. 12, art. no. 4098, p. 1-12.
  87. Kęstutis Ikamas, Ignas Nevinskas, Arūnas Krotkus, Alvydas Lisauskas. Silicon field effect transistor as the nonlinear detector for terahertz autocorellators. Sensors. ISSN 1424-8220. 2018, vol. 18, iss. 11, art. no. 3735, p. 1-11.
  88. Ričardas Norkus, Andrius Arlauskas, Arūnas Krotkus. Terahertz excitation spectra of InP single crystals. Semiconductor science and technology. ISSN 0268-1242. 2018, vol. 33, iss. 7, art. no. 075010, p. 1-5.
  89. Vytautas Karpus, Ričardas Norkus, Renata Butkutė, Sandra Stanionytė, Bronislovas Čechavičius, Arūnas Krotkus. THz-excitation spectroscopy technique for band-offset determination. Optics express. ISSN 1094-4087. 2018, vol. 26, no. 26, p. 33807-33817.
  90. Mindaugas Karaliūnas, Kinan E. Nasser, Andžej Urbanovič, Irmantas Kašalynas, Dalia Bražinskienė, Svajus Asadauskas, Gintaras Valušis. Non-destructive inspection of food and technical oils by terahertz spectroscopy. Scientific reports. eISSN 2045-2322. 2018, vol. 8, art. no. 18025, p. 1-11.
  91. Agafonov, Vladimir; Nargelienė, Viktorija; Balakauskas, Saulius; Bukauskas, Virginijus; Kamarauskas, Mindaugas; Lukša, Algimantas; Mironas, Audružis; Rėza, Alfonsas; Šetkus, Arūnas. Single variable defined technology control of the optical properties in MoS2 films with controlled number of 2D-layers. Nanotechnology. ISSN 0957-4484. 2020, vol. 31, iss. 2, art. no. 025602, p. 1-12.
  92. Šlekas, Gediminas; Kancleris, Žilvinas Andrius; Urbanovič, Andžej; Čiegis, Raimondas. Comparison of full-wave models of terahertz photoconductive antenna based on ordinary differential equation and Monte Carlo method. European physical journal plus. ISSN 2190-5444. 2020, vol. 135, art. no. 85, p. 1-16.
  93. Drabavičius, Audrius; Naujokaitis, Arnas; Stalnionis, Giedrius; Giraitis, Raimondas; Mockus, Zenius; Kanapeckaitė, Stasė; Kalinauskas, Putinas; Nedzinskas, Ramūnas; Niaura, Gediminas; Juškėnas, Remigijus. Photoelectrochemical, Raman spectroscopy, XRD and photoluminescence study of disorder in electrochemically deposited kesterite thin film. Journal of alloys and compounds. ISSN 0925-8388. 2020, vol. 824, art. no. 153853, p. 1-9.
  94. Grigelionis, Ignas; Kašalynas, Irmantas. Terahertz spectroscopy of thermal radiation from AlGaN/GaN heterostructure on sapphire at low temperatures. Applied sciences. eISSN 2076-3417. 2020, vol. 10, iss. 3, art. no. 851, p. 1-7.
  95. Paulauskas, Tadas; Pačebutas, Vaidas; Geižutis, Andrejus; Stanionytė, Sandra;Dudutienė, Evelina; Skapas, Martynas; Naujokaitis, Arnas; Strazdienė, Viktorija; Čechavičius, Bronislovas; Čaplovičová, Mária; Vretenár, Viliam; Jakieła, Rafał; Krotkus, Arūnas. GaAs1-xBix growth on Ge: anti-phase domains, ordering, and exciton localization. Scientific reports. eISSN 2045-2322. 2020, vol. 10, art. no. 2002, p. 1-12.
  96. Tumėnas, Saulius; Ragaliauskas, Tadas; Penkauskas, Tadas; Valanciute, Audrone; Ambrulevičius, Filipas; Valinčius, Gintaras. Solvent effects on composition and structure of thiolipid molecular anchors for tethering phospholipid bilayers. Applied surface science.ISSN 0169-4332. 2020, vol. 509, art. no. 145268, p. 1-9.
  97. Adomavičius, Ramūnas; Nevinskas, Ignas; Treu, J.; Xu, X.; Koblmüller, G.; Krotkus, Arūnas. Pulsed THz emission from wurtzite phase catalyst-free InAs nanowires. Journal of physics D: Applied physics. ISSN 0022-3727. 2020, vol. 53, iss. 19, art. no. 19LT01, p. 1-8.
  98. Janonis, Vytautas; Tumėnas, Saulius; Prystawko, Pawel; Kacperski, Jacek; Kašalynas, Irmantas. Investigation of n-type gallium nitride grating for applications in coherent thermal sources. Applied Physics Letters. ISSN 0003-6951. 2020, vol. 116, iss. 11, art. no. 112103, p. 1-5.
  99. Bertašius, Povilas; Macutkevič, Jan; Banys, Jūras; Gaidukovs, Sergejs; Barkane, Anda; Vaivodiss, Romans. Synergy effects in dielectric and thermal properties of layered EVA composites with carbon and Fe3O4 nanoparticles. Journal of applied polymer science. ISSN 0021-8995. 2020, vol. 137, iss. 24, art. no. 48814, p. 1-8.
  100. Seliuta, Dalius; Vyšniauskas, Juozas; Ikamas, Kęstutis; Lisauskas, Alvydas; Kašalynas, Irmantas; Reklaitis, Antanas; Valušis, Gintaras. Symmetric bow-tie diode for terahertz detection based on transverse hot-carrier transport. Journal of Physics D: Applied Physics. ISSN 0022-3727. 2020, vol. 53, iss. 27, art. no. 275106, p. 1-7.
  101. Minkevičius, Linas; Qi, Liang; Siemion, Agnieszka; Jokubauskis, Domas; Sešek, Aleksander; Švigelj, Andrej; Trontelj, Janez; Seliuta, Dalius; Kašalynas, Irmantas; Valušis, Gintaras. Titanium-based microbolometers: control of spatial profile of terahertz emission in weak power sources. Applied sciences. eISSN 2076-3417. 2020, vol. 10, iss. 10, art. no 3400, p. 1-12.
  102. Paulauskas, Tadas; Pačebutas, Vaidas; Butkutė, Renata; Čechavičius, Bronislovas; Naujokaitis, Arnas; Kamarauskas, Mindaugas; Skapas, Martynas; Devenson, Jan; Čaplovičová, Mária; Vretenár, Viliam; Li, Xiaoyan; Kociak, Mathieu; Krotkus, Arūnas. Atomic-resolution EDX, HAADF, and EELS study of GaAs1-xBix alloys. Nanoscale Research Letters. ISSN 1931-7573. 2020, vol. 15, art. no. 121, p. 1-12.
  103. Pačebutas, Vaidas; Norkus, Ričardas; Karpus, Vytautas; Geižutis, Andrejus; Strazdienė, Viktorija; Stanionytė, Sandra; Krotkus, Arūnas. Band-offsets of GaInAsBi–InP heterojunctions. Infrared physics & technology. ISSN 1350-4495. 2020, vol. 109, art. no. 103400, p. 1-4.
  104. Grivickas, P.; Ščajev, Patrik; Kazuchits, N.; Mazanik, A.; Korolik, O.; Voss, L. F.; Conway, A. M.; Hall, D. L.; Bora, M.; Subačius, Liudvikas; Bikbajevas, Vitalijus; Grivickas, Vytautas. Carrier recombination parameters in diamond after surface boron implantation and annealing. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2020, vol. 127, iss. 24, art. no. 245707, p. 1-6.
  105. Kamarauskas, Mindaugas; Agafonov, Vladimir; Daugalas, Tomas; Balakauskas, Saulius; Mironas, Audružis; Nedzinskas, Ramūnas; Niaura, Gediminas; Treideris, Marius; Šetkus, Arūnas. Photovoltaic effect-driven IR response of heterojunctions obtained by direct CVD synthesis of MoS2 nanolayers on crystalline silicon. Nanotechnology. ISSN 0957-4484. 2020, vol. 31, iss. 42, art. no. 425603, p. 1-12.
  106. Pashnev, Daniil; Kaplas, Tommi Sakari; Korotyeyev, Vadym; Janonis, Vytautas; Urbanovič, Andžej; Jorudas, Justinas; Kašalynas, Irmantas. Terahertz time-domain spectroscopy of two-dimensional plasmons in AlGaN/GaN heterostructures. Applied physics letters. ISSN 0003-6951. 2020, vol. 117, iss. 5, art. no. 051105, p. 1-5.
  107. Pashnev, Daniil; Korotyeyev, Vadym; Jorudas, Justinas; Kaplas, Tommi Sakari; Janonis, Vytautas; Urbanovič, Andžej; Kašalynas, Irmantas. Experimental evidence of temperature dependent effective mass in AlGaN/GaN heterostructures observed via THz spectroscopy of 2D plasmons. Applied physics letters. ISSN 0003-6951. 2020, vol. 117, iss. 16, art. no. 162101, p. 1-5.
  108. Baah, Marian; Obraztsov, Petr; Paddubskaya, Alesia; Bičiūnas, Andrius; Suvanto, Sari; Svirko, Yuri; Kuzhir, Polina; Kaplas, Tommi Sakari. Electrical, transport, and optical properties of multifunctional graphitic films synthesized on dielectric surfaces by nickel nanolayer-assisted pyrolysis. ACS applied materials & interfaces. ISSN 1944-8244. 2020, vol. 12, iss. 5, p. 6226-6233.
  109. Pačebutas, Vaidas; Čechavičius, Bronislovas; Krotkus, Arūnas. Single quantum well diodes from GaInAsBi emitting at wavelengths up to 2.5 μm. Infrared physics & technology. ISSN 1350-4495. 2020, vol. 111, art. no. 103567, p. 1-5.
  110. Paulauskas, Tadas; Čechavičius, Bronislovas; Karpus, Vytautas; Jočionis, Lukas; Tumėnas, Saulius; Devenson, Jan; Pačebutas, Vaidas; Stanionytė, Sandra; Strazdienė, Viktorija; Geižutis, Andrejus; Čaplovičová, Mária; Vretenár, Viliam; Walls, Michael; Krotkus, Arūnas. Polarization dependent photoluminescence and optical anisotropy in CuPtB-ordered dilute GaAs1–xBix alloys. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979.2020, vol. 128, iss. 19, art. no. 195106, p. 1-10.
  111. Norkus, Ričardas; Nevinskas, Ignas; Krotkus, Arūnas. Terahertz emission from a bulk GaSe crystal excited by above bandgap photons. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2020, vol. 128, iss. 22, art. no. 225701, p. 1-6.
  112. Korotieiev, Vadym; Kochelap, V. A. Plasma wave oscillations in a nonequilibrium two-dimensional electron gas: Electric field induced plasmon instability in the terahertz frequency range. Physical review B. ISSN 2469-9950. 2020, vol. 101, iss. 23, art. no 235420, p. 1-15.
  113. Seliuta, Dalius; Šlekas, Gediminas; Valušis, Gintaras; Kancleris, Žilvinas Andrius. Fano resonance arising due to direct interaction of plasmonic and lattice modes in a mirrored array of split ring resonators. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2019, vol. 44, iss. 4, p. 759-762.
  114. Grigelionis, Ignas; Jorudas, Justinas; Jakštas, Vytautas; Janonis, Vytautas; Kašalynas, Irmantas; Prystawko, Pawel; Kruszewski, Piotr; Leszczyński, Michal. Terahertz electroluminescence of shallow impurities in AlGaN/GaN heterostructures at 20 K and 110 K temperature. Materials science in semiconductor processing. ISSN 1369-8001. 2019, vol. 93, p. 280-283.
  115. Paulauskas, Tadas; Klie, Robert F. Decay of high-energy electron bound states in crystals. Ultramicroscopy. ISSN 0304-3991. 2019, vol. 196, p. 99-110.
  116. Paddubskaya, Alesia; Demidenko, Marina; Batrakov, Konstantin; Valušis, Gintaras; Kaplas, Tommi Sakari; Svirko, Yuri; Kuzhir, Polina. Tunable perfect THz absorber based on a stretchable ultrathin carbon-polymer bilayer. Materials. ISSN 1996-1944. 2019, vol. 12, iss. 1, art. no. 143, p. 1-11.
  117. Viter, Roman; Savchuk, Maryna; Starodub, Nickolay; Balevičius, Zigmas; Tumėnas, Saulius; Ramanavičienė, Almira; Jevdokimovs, Daniels; Erts, Donats; Iatsunskyi, Igor; Ramanavičius, Arūnas. Photoluminescence immunosensor based on bovine leukemia virus proteins immobilized on the ZnO nanorods. Sensors and actuators B: Chemical. ISSN 0925-4005. 2019, vol. 285, p. 601-606.
  118. Glemža, Justinas; Palenskis, Vilius; Geižutis, Andrejus; Čechavičius, Bronislovas; Butkutė, Renata; Pralgauskaitė, Sandra; Matukas, Jonas. Low-frequency noise investigation of 1.09 μm GaAsBi laser diodes. Materials. ISSN 1996-1944. 2019, vol. 12, iss. 4, art. no. 673, p. 1-13.
  119. Indrišiūnas, Simonas; Richter, Heiko; Grigelionis, Ignas; Janonis, Vytautas; Minkevičius, Linas; Valušis, Gintaras; Račiukaitis, Gediminas; Hagelschuer, Till; Hübers, Heinz-Wilhelm; Kašalynas, Irmantas. Laser-processed diffractive lenses for the frequency range of 4.7 THz. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2019, vol. 44, no. 5, p. 1210-1213.
  120. Ščajev, Patrik; Miasojedovas, Saulius; Subačius, Liudvikas; Jarašiūnas, Kęstutis; Mazanik, Alexander V.; Korolik, Olga V.; Kato, Masashi. Impact of intrinsic defects on excitation dependent carrier lifetime in thick 4H-SiC studied by complementing microwave photoconductivity, freecarrier absorption and time-resolved photoluminescence techniques. Journal of luminescence. ISSN 0022-2313. 2019, vol. 212, p. 92-98.
  121. Pačebutas, Vaidas; Stanionytė, Sandra; Norkus, Ričardas; Bičiūnas, Andrius; Urbanovič, Andžej; Krotkus, Arūnas. Terahertz pulse emission from GaInAsBi. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2019, vol. 125, iss. 17, art. no. 174507, p. 1-5.
  122. Norkus, Ričardas; Aleksiejūnas, Ramūnas; Kadys, Arūnas; Kolenda, Marek; Tamulaitis, Gintautas; Krotkus, Arūnas. Spectral dependence of THz emission from InN and InGaN layers. Scientific reports. eISSN 2045-2322. 2019, vol. 9, art. no. 7077, p. 1-6.
  123. Ponseca, Jr., Carlito S.; Arlauskas, Andrius; Yu, Hongling; Wang, Feng; Nevinskas, Ignas; Dūda, Eimantas; Vaičaitis, Virgilijus; Eriksson, Jens; Bergqvist, Jonas; Liu, Xiao-Ke; Kemerink, Martijn; Krotkus, Arūnas; Inganas, Olle; Gao, Feng. Pulsed terahertz emission from solution-processed lead iodide perovskite films. ACS Photonics. ISSN 2330-4022. 2019, vol. 6, p. 1175-1181.
  124. Jagminas, Arūnas; Trusovas, Romualdas; Bittencourt, Carla; Kurtinaitienė, Marija; Pakštas, Vidas; Cossement, Damien; Valušis, Gintaras. MoS2 with organic fragment - a new hybrid material for laser writing. Scientific reports. ISSN 2045-2322. 2019, vol. 9, art. no. 7839, p. 1-10.
  125. Beleckaitė, Ieva; Adomavičius, Ramūnas. Determination of the terahertz pulse emitting dipole orientation by terahertz emission measurements. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2019, vol. 125, art. no. 225706, p. 1-8.
  126. Pūkienė, Simona; Karaliūnas, Mindaugas; Jasinskas, Algirdas; Dudutienė, Evelina; Čechavičius, Bronislovas; Devenson, Jan; Butkutė, Renata; Udal, A.; Valušis, Gintaras. Enhancement of photoluminescence of GaAsBi quantum wells by parabolic design of AlGaAs barriers. Nanotechnology. ISSN 0957-4484. 2019, vol. 30, iss. 45, art. no. 455001, p. 1-11.
  127. Nevinskas, Ignas; Kadlec, F.; Kadlec, C.; Butkutė, Renata; Krotkus, Arūnas. Terahertz pulse emission from epitaxial n-InAs in a magnetic field. Journal of physics D: Applied physics. ISSN 0022-3727. 2019, vol. 52, iss. 36, art. no. 365301, p. 1-5.
  128. Obraztsov, Petr A.; Chizhov, Pavel A.; Kaplas, Tommi Sakari; Bukin, Vladimir V.; Silvennoinen, Martti; Hsieh, Cho - Fan; Konishi, Kuniaki; Nemoto, Natsuki; Kuwata - Gonokami, Makoto. Coherent detection of terahertz radiation with graphene. ACS Photonics. ISSN 2330-4022. 2019, vol. 6, iss. 7, p. 1780-1788.
  129. Kaplas, Tommi Sakari; Babaeian, Masoud; Cromey, Benjamin; Baah, Marian; Obraztsov, Petr; Akhoundi, Farhad; Peyghambarian, N.; Kieu, Khanh; Svirko, Yuri. Strong optical nonlinearity of ultrathin graphitic films synthesized on dielectric substrates. Applied surface science. ISSN 0169-4332. 2019, vol. 497, art. no. 143766, p. 1-6.
  130. Ivaškevičiūtė-Povilauskienė, Rusnė; Minkevičius, Linas; Jokubauskis, Domas; Urbanovič, Andžej; Indrišiūnas, Simonas; Valušis, Gintaras. Flexible materials for terahertz optics: advantages of graphite-based structures. Optical materials express. ISSN 2159-3930. 2019, vol. 9, iss. 11, p. 4438-4446.
  131. Sai, P.; Jorudas, Justinas; Dub, M.; Sakowicz, M.; Jakštas, Vytautas; But, D.B.; Prystawko, P.; Cywinski, G.; Kašalynas, Irmantas; Knap, W.; Rumyantsev, S. Low frequency noise and trap density in GaN/AlGaN field effect transistors. Applied physics letters. ISSN 0003-6951. 2019, vol. 115, no.18, art. no. 183501, p. 1-5.
  132. Indrišiūnas, Simonas; Svirplys, Evaldas; Richter, Heiko; Urbanovič, Andžej; Račiukaitis, Gediminas; Hagelschuer, Till; Hübers, Heinz-Wilhelm; Kašalynas, Irmantas. Laser-ablated silicon in the frequency range from 0.1 to 4.7 THz. IEEE transactions on terahertz science and technology. ISSN 2156-342X. 2019, vol. 9, iss. 6, p. 581-586.
  133. Minkevičius, Linas; Jokubauskis, Domas; Kašalynas, Irmantas; Orlovas, Sergejus; Urbas, Antanas; Valušis, Gintaras. Bessel terahertz imaging with enhanced contrast realized by silicon multi-phase diffractive optics. Optics express. ISSN 1094-4087. 2019, vol. 27, iss. 25, p. 36358-36367.
  134. Norkus, Ričardas; Nevinskas, Ignas; Krotkus, Arūnas. Spectral dependencies of terahertz emission from femtosecond laser excited surfaces of germanium crystals. Journal of applied physics. ISSN 0021-8979. 2019, vol. 126, iss. 22, art. no 225704, p. 1-6.
  135. Castro-Gutierrez, Jimena; Palaimienė, Edita; Macutkevič, Jan; Banys, Jūras; Kuzhir, Polina; Schaefer, Sébastien; Fierro, Vanessa; Celzard, Alain. Electromagnetic properties of carbon gels. Materials. eISSN 1996-1944. 2019, vol. 12, iss. 24, art. no. 4143, p. 1-9.
  136. Sandra Stanionytė, Vaidas Pačebutas, Bronislovas Čechavičius, Andrius Bičiūnas, Andrejus Geižutis, Virginijus Bukauskas, Renata Butkutė, Arūnas Krotkus. Impact of thermal treatments on epitaxial GayIn1−yAs1−xBi x layers luminescent properties. Journal of materials science. ISSN 0022-2461. 2018, vol. 53, iss. 11, p. 8339-8346.
  137. Vytautas Janonis, Vytautas Jakštas, Irmantas Kašalynas, Pawel Prystawko, Piotr Kruszewski. Reflectivity of plasmon–phonon modes in grating coupled AlGaN/GaN heterostructures grown on SiC and GaN substrates. Physica status solidi. B, Basic solid state physics. ISSN 0370- 1972. 2018, vol. 255, iss. 5, art. no. 1700498, p. 1-6.
  138. Ignas Grigelionis, Vytautas Jakštas, Vytautas Janonis, Irmantas Kašalynas, Pawel Prystawko, Piotr Kruszewski, Michal Leszczynski. Terahertz electroluminescence of shallow impurities in AlGaN/GaN heterostructures at temperatures above 80 K. Physica status solidi. B, Basic solid state physics. ISSN 0370-1972. 2018, vol. 255, iss. 5, art. no. 1700421, p. 1-5.
  139. Domas Jokubauskis, Linas Minkevičius, Mindaugas Karaliūnas, Simonas Indrišiūnas, Irmantas Kašalynas, Gediminas Račiukaitis, Gintaras Valušis. Fibonacci terahertz imaging by silicon diffractive optics. Optics letters. ISSN 0146-9592. 2018, vol. 43, iss.12, p. 2795-2798.
  140. Anders Elfwing, Ponseca Jr., Carlito S., Ouyang Liangqi, Andžej Urbanovič, Arūnas Krotkus, Tu Deyu, Forchheimer Robert, Inganäs Olle. Conducting helical structures from celery decorated with a metallic conjugated polymer give resonances in the terahertz range. Advanced functional materials. ISSN 1616-301X. 2018, vol. 28, iss. 24, art. no 1706595, p. 1-8.
  141. Milda Tamošiūnaitė, Simonas Indrišiūnas, Vincas Tamošiūnas, Linas Minkevičius, Andžej Urbanovič, Gediminas Račiukaitis, Irmantas Kašalynas, Gintaras Valušis. Focusing of terahertz radiation with laser-ablated antireflective structures. IEEE transactions on terahertz science and technology. ISSN 2156-342X. 2018, vol. 8, iss. 5, p. 541-548.
  142. Vaidas Pačebutas, Sandra Stanionytė, Andrius Arlauskas, Ričardas Norkus, Renata Butkutė, Andrejus Geižutis, Bronislovas Čechavičius, Arūnas Krotkus. Terahertz excitation spectra of GaAsBi alloys. Journal of physics D: Applied physics. ISSN 0022-3727. 2018, vol. 51, iss. 47, art. no. 474001, p. 1-7.
  143. Vilius Palenskis, Linas Minkevičius, Jonas Matukas, Domas Jokubauskis, Sandra Pralgauskaitė, Dalius Seliuta, Bronislovas Čechavičius, Renata Butkutė, Gintaras Valušis. InGaAs diodes for terahertz sensing-effect of molecular beam epitaxy growth conditions. Sensors. ISSN 1424-8220. 2018, vol. 18, iss. 11, art. no. 3760, p. 1-13.
  144. Uroš Puc, Abina Andreja, Anton Jeglič, Aleksander Zidanšek, Irmantas Kašalynas, Rimvydas Venckevičius, Gintaras Valušis. Spectroscopic analysis of melatonin in the terahertz frequency range. Sensors. ISSN 1424-8220. 2018, vol. 18, iss. 12, art. no. 4098, p. 1-12.
  145. Kęstutis Ikamas, Ignas Nevinskas, Arūnas Krotkus, Alvydas Lisauskas. Silicon field effect transistor as the nonlinear detector for terahertz autocorellators. Sensors. ISSN 1424-8220. 2018, vol. 18, iss. 11, art. no. 3735, p. 1-11.
  146. Ričardas Norkus, Andrius Arlauskas, Arūnas Krotkus. Terahertz excitation spectra of InP single crystals. Semiconductor science and technology. ISSN 0268-1242. 2018, vol. 33, iss. 7, art. no. 075010, p. 1-5.
  147. Vytautas Karpus, Ričardas Norkus, Renata Butkutė, Sandra Stanionytė, Bronislovas Čechavičius, Arūnas Krotkus. THz-excitation spectroscopy technique for band-offset determination. Optics express. ISSN 1094-4087. 2018, vol. 26, no. 26, p. 33807-33817.
  148. Mindaugas Karaliūnas, Kinan E. Nasser, Andžej Urbanovič, Irmantas Kašalynas, Dalia Bražinskienė, Svajus Asadauskas, Gintaras Valušis. Non-destructive inspection of food and technical oils by terahertz spectroscopy. Scientific reports. eISSN 2045-2322. 2018, vol. 8, art. no. 18025, p. 1-11.
Temos studentams 2022
Galimybės studentams
Optoelektronikos skyriaus mokslinės laboratorijos yra atviros motyvuotiems studentams ir studentėms. Suteikiama galimybė susipažinti su skyriaus veikla, išbandyti mokslinį darbą skyriaus laboratorijose ir atrasti savo mokslinių tyrimų kryptį, ruošti kursinius ir baigiamuosius darbus. Esant galimybei, studentai įtraukiami į vykdomus mokslinius projektus, gautų mokslinių rezultatų pagrindu ruošiamos bendros publikacijos, dalyvaujama konferencijose, yra galimybė siekti mokslininko karjeros studijuojant doktorantūros studijose, vykdomose kartu su Vilniaus universitetu.

TEMOS

Nr.

Kryptis

Vadovas

Temos pavadinimas

1.

N 002
Fizika

Dr. Linas Minkevičius ✉
 FTMC Optoelektronikos skyrius
Terahercų fotonikos laboratorija
NFTMC (Saulėtekio al. 3), D114 kab.

Terahercinių difrakcinių elementų ir jų kombinacijų su metamedžiagomis savybių tyrimas


Aprašymas
Terahercinių šaltinių ir naujų detektorių tyrimai skatina toliau ieškoti naujų sprendimų kuriant kompaktiškas vaizdinimo sistemas. Dažniausiai tokiose sistemose naudojami standartiniai lęšiai, gaminami iš teflono ar didelio tankio polietileno bei paraboliniai veidrodžiai. Mažinant sistemos matmenis ir didinant vaizdinimo rezoliuciją reikalingi trumpo židinio nuotolio lęšiai, jie neišvengiamai bus stori ir slopins pro juos praeinančia THz spinduliuotę. Vienas iš būdų yra keisti dabar naudojamus masyvius optinius veidrodžius ir lęšius daug kompaktiškesniais difrakciniais komponentais. Specifinėms vaizdinimo sistemoms, tokioms kaip spektroskopinis vaizdinimas yra aktualios tik tam tikros spektrinės linijos. Tinkamus specifinius dažnius galima parinkti naudojant metamedžiagas Difrakcinius komponentus jungiant su metamedžiagų rezonansinėmis savybėmis galima sukurti daugiafunkcinį elementą.
Darbo tikslas - ištirti fokusavimo savybes jungiant difrakcinių elementų dizainus kartu su įvairiomis metamedžiagų konfigūracijomis. Tyrimai bus atliekami su gausia šiuolaikine laboratorine įranga.

 

2.

N 002
Fizika

Dr. Linas Minkevičius ✉
 FTMC Optoelektronikos skyrius
Terahercų fotonikos laboratorija
NFTMC (Saulėtekio al. 3), D114 kab.

Terahercinių difrakcinių elementų ir jų kombinacijų su metamedžiagomis savybių modeliavimas


Aprašymas
Terahercinių šaltinių ir naujų detektorių tyrimai skatina toliau ieškoti naujų sprendimų kuriant kompaktiškas vaizdinimo sistemas. Dažniausiai tokiose sistemose naudojami standartiniai lęšiai, gaminami iš teflono ar didelio tankio polietileno bei paraboliniai veidrodžiai. Mažinant sistemos matmenis ir didinant vaizdinimo rezoliuciją reikalingi trumpo židinio nuotolio lęšiai, jie neišvengiamai bus stori ir slopins pro juos praeinančia THz spinduliuotę. Vienas iš būdų yra keisti dabar naudojamus masyvius optinius veidrodžius ir lęšius daug kompaktiškesniais difrakciniais komponentais. Specifinėms vaizdinimo sistemoms, tokioms kaip spektroskopinis vaizdinimas yra aktualios tik tam tikros spektrinės linijos. Tinkamus specifinius dažnius galima parinkti naudojant metamedžiagas Difrakcinius komponentus jungiant su metamedžiagų rezonansinėmis savybėmis galima sukurti daugiafunkcinį elementą.
Darbo tikslas - sumodeliuoti fokusavimo bei spektrines savybes jungiant difrakcinių elementų dizainus kartu su įvairiomis metamedžiagų konfigūracijomis. Skaičiavimai bus atliekami naudojantis baigtinių skirtumų laiko skalėje metodu.

 
Temos doktorantams 2022

Nr.

Kryptis

Vadovas

Temos pavadinimas LT

Temos pavadinimas EN

N 002 Fizika

 

1.

 

N 002

 

Dr. Ramūnas Adomavičius ✉

 

Dujinės būsenos medžiagų spektroskopija ir taikymai terachercinių bangų diapazone

 

Spectroscopy and applications of gasoeus materials in the terahertz range


Doktorantūros studijų metu, terahercinių impulsų spektroskopijos sistema bus naudojama atlikti dujinės fazės medžiagų tyrimus. Vienas iš doktorantūros uždavinių – matavimo įrangos įsisavinimas ir tobulinimas. Taip pat numatomi palyginamieji tyrimai, kurių metu dujų bandiniai bus matuojami naująja metodika bei tradiciniu Furjė spektrometru. Šių tyrimų tikslas – atskleisti abiejų metodikų pranašumus ir trūkumus. Tyrimų rezultatas turėtų būti bendros metodikos paruošimas, kuomet kompleksiniams tyrimams naudojama tiek nuolatinės veikos, tiek impulsinė terahercinė spinduliuotė. Vėlesniuose tyrimuose minėta metodika bus pritaikyta dujų lūžio rodiklio matavimuose, žmogaus iškvėpto oro analizėje, dujų srautų judėjimo tyrimuose. THz-TDS spektroskopija kol kas retai taikoma dujų tyrimams, o UOL laboratorijoje sukurta realaus laiko matavimo metodika išvis niekada nebuvo naudota dujų tyrimuose. Disertacijos tikslas - naujų matavimo metodų sukūrimas ir jų pritaikymas fizikos, chemijos ir medicinos taikymuose.

 

2.

 

N 002

 

Dr. Egidijus Auksorius ✉

 

Našios optinės koherentinės tomografijos vystymas ir taikymas akies tinklainės vaizdinimui

 

Development of light-efficient optical coherence tomography for the human retina imaging


Pilnojo Lauko Optinė koherentinė tomografija (angl. FF-OCT) yra vienas greičiausių žmogaus tinklainės vaizdavimo metodų. Tačiau šis metodas remiasi tridimensinių vaizdų vidurkinimu kuris dėl paciento judesių gali sumažinti pasiekiamą rezoliuciją. Projekto idėja yra panaudoti inovatyvias optines schemas kurios leistų užregistruoti daugiau fotonų ateinančių iš tinklainės ir tokiu būdu padidinti signalo ir triukšmo santykį. Tam bus išbandomi didelio pralaidumo interferometro konfigūracija ir optiškai našus pluošto skirstytuvas kurie bus įdiegti pačiose pažangiausiose FF-OCT sistemos, ir tikimasi, kad padidins signalą keturis kartus. Signalo padidėjimas turėtų leisti geriau vaizdinti tokius sunkiai matomus tinklainės sluoksnius kaip akies gyslainė. Ateityje tokios sistemos galėtų pagerinti akių ligų diagnostiką.

 

3.

 

N 002

 

Dr. Irmantas Kašalynas ✉

 

Dvimačių elektronų ir plazmonų sąveikų išoriniame elektriniame lauke poliarizacinė THz spektroskopija

 

Polarization THz spectroscopy of two-dimensional electron and plasmon interactions under external electric field


Šiandien mokslininkai aktyviai tiria fizikinius reiškinius, naujas medžiagas, ieško efektyvesnių terahercų (THz) generavimo ir pluoštelio formavimo būdų tiknkančių efektyvių kambario temperatūroje veikiančių spektroskopinio THz vaizdinimo sistemų kūrimui bei vystymui. Dėl unikalių fizikinių savybių - platus draustinis tarpas, didelis pramušimo elektrinis laukas, geras šiluminis laidumas ir stabilumas, GaN yra perspektyvi medžiaga didelės galios, aukštadažnės elektronikos komponentų vystymui [M.Shur Solid-State Electronics (2019); U.K. Mishra et. all IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 46 p.756-761 (1998)]. Dėmesys skiriamas III-N heterodariniams, siekinat užauginti geresnės kokybės heterostruktūras [J.T.Chen et all. Applied Physics Letters 113, 041605 (2018)]. Per paskuitinius metus (nuo 2014 m.) mūsų grupė sėkmingai įsitraukė į nitridinių-puslaidininkių struktūrų bei iš jų pagamintų komponentų tyrimus [. Jorudas, et all. Micromachines 11, 1131 (2020), J. Jorudas et all. Materials (Basel) 15, 1118, (2022)]. Mūsų grupei pirmiems pavyko atskleisti naujus 2D plazmonų rezonansinius ypatumus AlGaN/GaN hetrostruktūrose [D. Pashnev et all. Applied Physics Letters 117 162101 (2020); R.B. Adamov et all. Applied Sciences 11, 6053 (2021)]. Plačiatarpiai puslaidininkiniai pasižymi itin plačia „Reststrahlen“ juosta spektre, dėl to, šias medžiagas pasiūlėme panaudoti hibridinių paviršinių plazmon-fonon-poliaritonų sužadinimui ir kvazi-koherentinės spinduliuotės generavimui [V.Janonis et all Applied Physics Letters 116, 112103 (2020); Optics Express 29, 13839 (2021)]. Siūlomame darbe bus vykdoma dvimačių elektronų ir plazmonų sąveikų išoriniame elektriniame lauke poliarizacinė THz spektroskopija temperatūrų ruože nuo 4 K iki 400 K.

 

4.

 

N 002

 

Dr. Linas Minkevičius ✉

 

Terahercinė vaizdinimo sistema, pagrįsta spinduliuotės pluoštelio formavimo metodais

 

THz imaging systems based on advanced optical beam forming methods


Augantys THz vaizdinimo sistemų taikymai susiduria su nemenkais iššūkiais, tokiais kaip pakuotės įtaka ar objektai, mažai sugeriantys THz spinduliuotę. Doktorantūros temos idėja yra sukurti novatoriškas, THz vaizdinimo sistemas, leidžiančias identifikuoti norimas mažai absorbuojančias medžiagas. Novatoriškumo esmė – jų kūrimui pritaikyti THz šviesos pluoštelio formavimo metodus, tokius kaip šviesos poliarizacijos valdymas ir fazinio kontrasto ir tamsaus lauko erdvinis filtravimas. Šie metodai yra žinomi optinėje mikroskopijoje, tačiau lig šiol nebuvo plačiai nagrinėti THz vaizdinimo sistemose. Daugiausia mokslinių rezultatų, susijusių su erdviniu filtravimu yra pateikta dr. A. Siemion grupės (Varšuva, Lenkija). Ši grupė daug tyrimų vykdo teorinėse skaitmeninės THz hologafijos [M. Surma, et al., Appl. Sci., vol. 9, no. 4, p. 659, (2019).], THz difrakcinės optikos ir erdvinio filtravimo srityje [A. Siemion, et al., Sensors, vol. 21, no. 1, p. 100, (2020).], tačiau eksperimentinis nekoherentinis vaizdinimas bei THz pluoštelio inžinerija iki šiol dar nėra plačiai tirti. Pionierišką darbą 0.6 THz dažnių ruože temos vadovui kartu su grupe pavyko padaryti 2021-aisias [A. Siemion, et al., Opt. Lasers Eng., vol. 139, p. 106476, Apr. 2021]. Straipsnyje parodoma, jog šie metodai leidžia ne tik išplėsti sistemos dinaminį diapazoną, bet ir gali išryškinti mažai absorbuojančių bandinių briaunas ir struktūrinius nevienalytiškumus. Ši doktorantūros tema būtų šio labai naujo darbo tęsinys.

 

5.

 

N 002

 

Dr. Ignas Nevinskas ✉

 

Terahercinė emisija iš paviršiniais plazmonais žadinamų puslaidininkių

 

Terahertz emission from semiconductors excited with surface plasmons


Paviršiniai plazmonai pasižymi ypatinga savybe – šviesos suspaudimu už difrakcijos limito ribų. Suspausta didelio intensyvumo šviesa gali būti panaudota naujos kartos, mažų, didelio našumo ir žemo triukšmo optinių ir optoelektroninių prietaisų kūrimui. Literatūroje sutinkami paviršiniais plazmonais sustiprinti tokie prietaisai kaip saulės elementai, didelės skaitmeninės apertūros plokšti (2D) lęšiai, įvairūs jutikliai, ir kiti. Siūloma doktorantūros tema skirta terahercinės (THz) emisijos prietaiso kūrimui. Pastarasis prietaisas yra femtosekundiniais lazerio impulsais žadinamas puslaidininkinis kristalas. Ant šio kristalo suformuotos auksinės nanostruktūros sąveika su lazerio impulsu sužadins paviršinius plazmonus, o pastarieji susigers į puslaidininkį ženkliai mažesniame tūryje negu kad diktuoja puslaidininkio sugerties gylis. Dėl sugeneruoto fotosužadintų krūvininkų gradiento indukuosis ultrasparčios fotosrovės, kurios, savo ruožtu, išspinduliuos THz impulsą.

 

6.

 

N 002

 

Dr. Vaidas Pačebutas ✉

 

Nanometrinių bismuto sluoksnių (bismuteno) technologija ir tyrimai

 

Investigation and technology of nanometer bismuth (bismuthene) layers


Ploni (<30 nm storio) bismuto sluoksniai įdomūs, nes juose pasireiškia daug unikalių fizikinių reiškinių. Tūryje Bi yra pusmetalis, plonas tampa puslaidininkiu. Kai jis suplonėja iki ~5 nm, iš romboedrinio kristalo Bi tampa heksagoniniu bismutenu, kuris yra tipiškas 2D kristalas ir netgi topologinis izoliatorius. Jo naujos taikymų sritys taip pat įvairios: nuo IR photodetektorių ir termoelektros iki fotocheminio vandens skaldymo ir kvantinių kompiuterių. Siūloma tema yra skirta itin plonų Bi sluoksnių technologijai ir jų savybių tyrimui. Sluoksniai būtų auginami molekulių pluoštelių epitaksijos (MBE) būdu, tiriami naudojant įvairius struktūrinės analizės, optinės ir THz diapazono spektroskopijos metodus, ieškomos tų sluoksnių naujų taikymų infraraudonojo ir THz diapazono fotodetektoriuose ir emiteriuose perspektyvos. Optimizavus sluoksnių auginimo technologija ir ištyrus svarbiausius jų fizikinius parametrus numatoma sutelkti dėmesį į bismuteno, kaip topologinio izoliatoriaus, tyrimus.

 

7.

 

N 002

 

Dr. Vaidas Pačebutas ✉

 

Šviesos šaltinių optiniam ryšiui ir optiniams jutikliams su sudėtinėmis bismidų kvantinėmis duobėmis kūrimas

 

Development of light sources for optical communication and optical sensors with composite bismide quantum wells


Vidutinio infraraudonųjų spindulių (VIR) bangų ilgių diapazone yra daugelio svarbių aplinkos ir pramoninių dujų virpesių spektrai, todėl yra didelis VIR puslaidininkinių lazerių ir šviesos diodų poreikis. Puslaidininkiniai šviesos šaltiniai, veikiantys nuo 2 μm iki 10 μm spektro diapazone, kuriami siekiant pritaikyti kompaktiniuose dujų jutikliuose, skirtuose aplinkos teršalams ir pavojingoms cheminėms medžiagoms aptikti, taip pat pramoninių procesų stebėjimui. Tačiau VIR šviesos šaltinių kūrimas vis dar yra rimtai apribotas. Neseniai, ieškant naujų siauratarpių AIIIBV medžiagų, dėmesio centre atsirado praskiestieji bismidai. Laboratorijose GaAs1-xBix kvantinių duobių (QW) pagrindu pagaminti lazeriniai diodai, emitavo 1,06–1,41 μm diapazone. GaInAsBi kvantinės duobės demonstruoja ryškią foto- ir elektroliuminescenciją esant pakankamai mažam QW pločiui. Jų emituojamas bangos ilgis siekia iki ~2,5 μm. Teoriškai GaInAsBi junginio gardelės, suderintos su InP padėklu, energijos diapazonas gali būti net 0,21 eV, o tai atitinka 6 μm spinduliuotės bangos ilgį. Siūloma tema skirta bimidinių šviesos šaltinių technologijai ir jų savybių tyrimui. Sluoksniai ir struktūros būtų auginami molekulinio pluošto epitaksijos (MBE) būdu ir tiriami naudojant įvairius struktūrinės analizės metodus, optinę ir THz diapazono spektroskopiją. Planuojama analizuoti bangos ilgio derinimo metodus, įskaitant sudėtines kvantines duobes, bet neapsiribojant jais. Optimizavus šviesos šaltinių augimo technologiją ir ištyrus svarbiausius fizikinius parametrus, planuojama ieškoti naujų tų šaltinių pritaikymo galimybių.

 

8.

 

N 002

 

Dr. Saulius Tumėnas ✉

 

Optinė bismidų anizotropija,
sąlygota CuPt-tipo atominio susitvarkymo

 

Optical anisotropy of CuPt-ordered bismides


Bismidai, naujos kartos puslaidininkiniai junginiai, yra plačiai tiriami visų pirma dėl savo potencialaus taikymo IR optoelektronikos ir saulės energetikos elementams. Pastaruoju metu mūsų atlikti GaAsBi bismidų optiniai tyrimai atskleidė poliarizacinę anizotropiją sugerties krašto diapazone. Struktūrinis bandinių charakterizavimas atominės skyros mikroskopijos ir XRD metodais rodo, kad juose Bi atomai spontaniškai susitvarkę kristalografine kryptimi, kuri atitinka optinės anizotropijos ašį. Tai leidžia daryti hipotetinę prielaidą, kad bismidų optinę anizotropiją lemia spontaninis Bi atomų susitvarkymas. Tema aktuali ir nauja. Literatūroje žinomi tik keli spontaninio bismidų susitvarkymo tyrimai. Publikacijų apie optinę bismidų anizotropiją iki šiol nėra. Šio darbo tikslas – atskleisti bismidų optinės anizotropijos fizikinę prigimtį. Optinė anizotropija suponuoja specifinę bismidų elektroninės struktūros sandarą, tuo pačiu daugelio fizikinių savybių pokyčius, kurie yra esminiai ir bismidų technologijos plėtrai ir potencialiems taikymams.