Studijos

Atgal

2019 m. apgintos disertacijos


SANDROS STANIONYTĖS daktaro disertacija

Autorius: SANDRA STANIONYTĖ
Disertacijos pavadinimas: Optoelektronikos prietaisams skirtų GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ sluoksnių auginimas molekulinių pluoštų epitaksijos būdu
Mokslo sritis: Medžiagų inžinerija 08T
Mokslinis vadovas: dr. Vaidas Pačebutas

Gynimo data: 2019-02-14

ANOTACIJA:
Bismidiniai sluoksniai yra patrauklūs dėl galimybės pasitarnauti kaip spinduliuotės šaltiniai ar detektoriai prietaisuose, veikiančiuose artimojo ir viduriniojo infraraudonųjų spindulių ruože, saulės elementuose, spintroninių ir terahercų (THz) dažnių sistemų komponentuose. Laikinės THz spektroskopijos sistemos GaAs pagrindu yra labiausiai paplitusios, tačiau brangios ir didelių matmenų. Jas galima būtų pakeisti kompaktiškesnėmis ir pigesnėmis sistemomis su GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ junginio pagrindu pagamintais optoelektroniniais komponentais, veikiančiais telekomunikacinių bangos ilgių srityje (1−1,5 µm). Orientuojantis į vidurinio infraraudonojo diapazono spinduliuotės detektorių kūrimą, GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ junginiai taip pat gali būti naudingi, nes yra žinoma, kad auginant suderintų su InP gardelių GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ sluoksnius yra įmanoma pasiekti junginius, kuriuose optinės sugerties kraštas pasislinktų net iki 6 µm. Disertacijoje aprašomas GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ sluoksnių auginimo parametrų optimizavimas. Jų pagrindu buvo pagaminti THz komponentai bei sukonstruota kompaktiška THz laikinės spektroskopijos sistema, veikianti 1,55 µm bangos ilgių ruože. Taip pat sukurta keturnariais bismidiniais junginiais besiremianti technologija vidurinio IR diapazono spinduliuotės detektoriams gaminti. Užauginti sluoksniai, kurių sugerties kraštas siekė 2,3 µm, o ištirta atkaitinimo įtaka keturnarių sluoksnių kokybei pademonstravo geras bismidų panaudojimo perspektyvas.
Metai: 2019
KAROLIO RATAUTO daktaro disertacija

Autorius: KAROLIS RATAUTAS
Disertacijos pavadinimas: Lazeriu inicijuotas elektrinio laidumo takelių formavimas ant dielektrikų besroviu cheminiu metalo nusodinimo metodu
Mokslo sritis: Medžiagų inžinerija 08T
Mokslinis vadovas: dr. Gediminas Račiukaitis

Gynimo data: 2019-03-04

ANOTACIJA:
Disertacijoje buvo tyrinėjamas lazeriu inicijuotas selektyvus vario nusodinimas ant dielektrikų, formuojant elektrinio laidumo takelius. Eksperimentai atlikti naudojant du skirtingus selektyvaus vario nusodinimo metodus: lazerinį tiesioginį struktūravimą (LDS) naudojant polipropileną sodrintą anglies nano vamzdeliais ir naujai sukurta technologija – lazeriu inicijuotą selektyvų paviršiaus aktyvavimą (SSAIL). 
Lazerinis tiesioginis struktūravimas yra selektyvus metalizavimo metodas, kuris naudoja specialius LDS užpildus visame polimero tūryje. Šie priedai yra aktyvuojami lazerio spindulio ir tampa aktyvūs katalizatoriai besroviam cheminiam vario nusodinimui. Tokiu būdu yra padengiamos tik lazeriu paveiktos paviršiaus vietos. Šiame darbe tyrinėjami, naujo tipo LDS priedai – daugiasieniai anglies nano vamzdeliai. LDS proceso aktyvavimo mechanizmas buvo analizuojamas atliekant paviršinės varžos testus, fotografuojant paviršių skenuojančiu elektroniniu mikroskopu, atliekant Ramano spektroskopijos tyrimus.
SSAIL –metodą sudaro 4 žingsniai: lazerinis paviršiaus modifikavimas, modifikuotų vietų cheminis aktyvavimas tirpale, plovimas ir besrovis vario nusodinimas ant aktyvuotų vietų. Eksperimentiniai rezultatai parodė, jog selektyvus dengimas gaunamas ne dėl lazeriu sukelto paviršiaus šiurkštumo. Paviršinės varžos matavimai, Rentgeno foto elektrono spektroskopija, ir mikroskopijos metodai buvo naudojami proceso analizei, po lazerinio modifikacijos, cheminio aktyvavimo ir galutinio dengimo etapų. Rezultatai parodė jog procesas veikia naudojant pikosekundinę spinduliuotę, tačiau neveikia su nanosekundine. Rentgeno foto elektrono spektroskopijos tyrimas atskleidė, kad PA6 paviršius po pikosekundinės lazerinės apšvitos gali chemiškai redukuoti metalo jonus.
Metai: 2019