Studijos

Atgal

2019 m. apgintos disertacijos


SANDROS STANIONYTĖS daktaro disertacija

Autorius: SANDRA STANIONYTĖ
Disertacijos pavadinimas: Optoelektronikos prietaisams skirtų GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ sluoksnių auginimas molekulinių pluoštų epitaksijos būdu
Mokslo sritis: Medžiagų inžinerija 08T
Mokslinis vadovas: dr. Vaidas Pačebutas

Gynimo data: 2019-02-14

ANOTACIJA:
Bismidiniai sluoksniai yra patrauklūs dėl galimybės pasitarnauti kaip spinduliuotės šaltiniai ar detektoriai prietaisuose, veikiančiuose artimojo ir viduriniojo infraraudonųjų spindulių ruože, saulės elementuose, spintroninių ir terahercų (THz) dažnių sistemų komponentuose. Laikinės THz spektroskopijos sistemos GaAs pagrindu yra labiausiai paplitusios, tačiau brangios ir didelių matmenų. Jas galima būtų pakeisti kompaktiškesnėmis ir pigesnėmis sistemomis su GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ junginio pagrindu pagamintais optoelektroniniais komponentais, veikiančiais telekomunikacinių bangos ilgių srityje (1−1,5 µm). Orientuojantis į vidurinio infraraudonojo diapazono spinduliuotės detektorių kūrimą, GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ junginiai taip pat gali būti naudingi, nes yra žinoma, kad auginant suderintų su InP gardelių GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ sluoksnius yra įmanoma pasiekti junginius, kuriuose optinės sugerties kraštas pasislinktų net iki 6 µm. Disertacijoje aprašomas GaᵧIn₁₋ᵧAs₁₋ₓBiₓ sluoksnių auginimo parametrų optimizavimas. Jų pagrindu buvo pagaminti THz komponentai bei sukonstruota kompaktiška THz laikinės spektroskopijos sistema, veikianti 1,55 µm bangos ilgių ruože. Taip pat sukurta keturnariais bismidiniais junginiais besiremianti technologija vidurinio IR diapazono spinduliuotės detektoriams gaminti. Užauginti sluoksniai, kurių sugerties kraštas siekė 2,3 µm, o ištirta atkaitinimo įtaka keturnarių sluoksnių kokybei pademonstravo geras bismidų panaudojimo perspektyvas.
Metai: 2019