|
N 002
|
Steponas Ašmontas ✉
|
Trijų kationų perovskitinių sluoksnių auginimas ir jų optoelektroninių savybių tyrimas tandeminiams saulės elementams
|
Triple cation perovskite layer fabrication and investigation of their optoelectronic properties for tandem solar cells
|
Temos aprašymas
Dėl nuolat augančio energijos poreikio, lydimo organinio kuro šaltinio išsekimo, globalaus atšilimo ir su tuo susijusios klimato kaitos, vis aktualesniu tampa būtinumas ieškoti atsinaujinančių energijos šaltinių ir juos tobulinti. Viena perspektyviausių ir labiausiai tausojančių aplinką yra saulės elementų (SE) gaunama elektros energija.
Dabar pasaulyje apie 80% saulės elementų gaminama is silicio. Siekiant atpiginti SE gaminamą elektrą, reikia arba mažinti SE kainą arba didinti jų konversijos efektyvumą, tobulinant ir kuriant naujas technologijas ir medžiagas. Mes siūlome SE konversijos efektyvumo padidinimui panauduoti tandeminius trijų kationų perovskitų/silicio darinius.
Plačiajuostis perovskito sluoksnis, esantis virš Si p-n sandūros, sugertų didelės energijos kvantus ir tokiu būdu sumazintų neigiamų karštųjų krūvininkų itaką fotoelektros susidarymui Si p-n sandūroje, praplestų saulės spinduliuotės sugerties spektrą ir tuo pačiu padidintų SE konversijos efektyvumą.
Theme description
Every year increasing energy demand accompanied with depletion of organic fuel sources, global warming and related climate changes necessitates search for new and development of renewable energy sources. One of the most promising and environmentally friendly energy source is a solar cell (SC).
Today, about 80% of the world's solar cells are made of silicon. To reduce the cost of electricity produced by SCs. one needs to cut the cost of a SC or to increase its conversion efficiency through the improvement and development of new technologies and materials. We propose to use tandem triple cation perovskite/silicon structures having higher SC conversion efficiency. A broadband perovskite layer deposited on a Si p-n junction would absorb high energy photons and thus reduce the negative influence of hot carriers on the photovoltage across Si p-n junction, would broaden the efficient solar radiation absorption spectrum and, as a result, will raise the conversion erficiency or a SC.