Šiandien mokslininkai aktyviai tiria fizikinius reiškinius, naujas medžiagas, ieško efektyvesnių terahercų (THz) generavimo būdų, kas gerai tiktų kompaktiškų kambario temperatūroje veikiančių THz emiterių kūrimui bei vystymui. Dėl unikalių fizikinių savybių - platus draustinis tarpas, didelis pramušimo elektrinis laukas, geras šiluminis laidumas ir stabilumas, GaN yra perspektyvi medžiaga didelės galios, aukštadažnės elektronikos komponentų vystymui [M.Shur Solid-State Electronics (2019); U.K. Mishra et. all IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniųues 46 p.756-761 (1998)]. Dėmesys skiriamas III-N heterodariniams, siekinat užauginti geresnės kokybės heterostruktūras [J.T.Chen et all. Applied Physics Letters 113, 041605 (2018)]. Tuo tikslu mūsų laboratorijoje pradėti likutinių priemaišų tyrimai artimose komercinėms AlGaN/GaN struktūrose su dvimtėmis elektronų dujomis [I. Grigelionis et all, Materials Science in Semiconductor Processing 93, p. 280-283 (2019)]. Elektronų plazmos ir gardelės virpesių savybės plačiai tyrinėjamos poliniuose puslaidininkiuose ir heterostruktūrose [N.Rahbany Appl. Phys. 114 p.053505 (2013)]. Plačiatarpiai puslaidininkiniai pasižymi itin plačia „Reststrahlen“ juosta spektre, dėl to, šios medžiagos įdomios rezonansinių sąveikų ypatumams tirti ir taikyti THz generuoti [K. Požela et all Appl Phys. Lett. 105 p.091601 (2014)]. Silpna bei stipri rezonansinė plazmonų sąveika su kristalinės gardelės fononais neseniai buvo aptikta GaN heterodariniuose [V.Janonis et all physica status solidi (b) 255, 1700498 (2018)].
Šio darbo metu bus vykdomi (i) sekliųjų priemaišų bei (ii) fononų-plazmonų modų atspindžio, sugerties ir emisijos spektroskopiniai tyrimai THz dažnių ir IR ruože temperatūroje nuo 4 K iki 400 K.
Dėl detalesnės informacijos susisiekite su temos vadovu
I. Kašalynu.