Doktorantūra

Atgal

AlGaN/GaN/SiC darinių, skirtų terahercinės spinduliuotės generacijai, optinis tyrimas

Šiandien mokslininkai aktyviai tiria fizikinius reiškinius, naujas medžiagas, ieško efektyvesnių terahercų (THz) generavimo būdų, kas gerai tiktų kompaktiškų kambario temperatūroje veikiančių THz emiterių kūrimui bei vystymui. Dėl unikalių fizikinių savybių - platus draustinis tarpas, didelis pramušimo elektrinis laukas, geras šiluminis laidumas ir stabilumas, GaN yra perspektyvi medžiaga didelės galios, aukštadažnės elektronikos komponentų vystymui [M.Shur Solid-State Electronics (2019); U.K. Mishra et. all IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniųues 46 p.756-761 (1998)]. Dėmesys skiriamas III-N heterodariniams, siekinat užauginti geresnės kokybės heterostruktūras [J.T.Chen et all. Applied Physics Letters 113, 041605 (2018)]. Tuo tikslu mūsų laboratorijoje pradėti likutinių priemaišų tyrimai artimose komercinėms AlGaN/GaN struktūrose su dvimtėmis elektronų dujomis [I. Grigelionis et all, Materials Science in Semiconductor Processing 93, p. 280-283 (2019)]. Elektronų plazmos ir gardelės virpesių savybės plačiai tyrinėjamos poliniuose puslaidininkiuose ir heterostruktūrose [N.Rahbany Appl. Phys. 114 p.053505 (2013)]. Plačiatarpiai puslaidininkiniai pasižymi itin plačia „Reststrahlen“ juosta spektre, dėl to, šios medžiagos įdomios rezonansinių sąveikų ypatumams tirti ir taikyti THz generuoti [K. Požela et all Appl Phys. Lett. 105 p.091601 (2014)]. Silpna bei stipri rezonansinė plazmonų sąveika su kristalinės gardelės fononais neseniai buvo aptikta GaN heterodariniuose [V.Janonis et all physica status solidi (b) 255, 1700498 (2018)].
Šio darbo metu bus vykdomi (i) sekliųjų priemaišų bei (ii) fononų-plazmonų modų atspindžio, sugerties ir emisijos spektroskopiniai tyrimai THz dažnių ir IR ruože temperatūroje nuo 4 K iki 400 K.
 
Dėl detalesnės informacijos susisiekite su temos vadovu I. Kašalynu.