Doktorantūra

Atgal

Dvimatė plazmonika GaN struktūrose optoelektroniniams taikymams THz dažnių ruože

N 002 Fizika / Physics
dr. Irmantas Kašalynas

LT - Dvimatė plazmonika GaN struktūrose optoelektroniniams taikymams THz dažnių ruože

Šiuo metu mokslininkai tiria fizikinius reiškinius, naujas medžiagas, ieško efektyvesnių terahercų (THz) pluoštelio formavimo ir valdymo būdų tiknkančių kambario temperatūroje veikiančių spektroskopinio THz vaizdinimo sistemų kūrimui bei vystymui. Dėl unikalių fizikinių savybių - platus draustinis tarpas, didelis pramušimo elektrinis laukas, geras šiluminis laidumas ir stabilumas, GaN yra perspektyvi medžiaga didelės galios, aukštadažnės elektronikos komponentų vystymui. Dėmesys skiriamas III-N heterodariniams, siekinat užauginti geresnės kokybės heterostruktūras. Nuo 2014 metų mūsų grupė sėkmingai įsitraukė į nitridinių-puslaidininkių struktūrų bei iš jų pagamintų komponentų tyrimus. Mums pirmiems pavyko atskleisti naujus 2D plazmonų rezonansinius ypatumus AlGaN/GaN hetrostruktūrose bei pastebėti kryptingą ir koherentinį spinduliavimą hibridinių plazmon-fonon-poliaritonų, sužadintų GaN struktūrose. Aptikti erdvinio krūvio lauko domenai aukšto kokybės GaN puslaidininkiuose buvo pritaikyti sparčiai elektro-optinei pluoštelio moduliacijai THz dažnių ruože. Siūlomame darbe bus tiriama dvimačių plazmonų elektro-optinės sąveikos su THz spinduliuote mechanizmai pasitelkiant impulsinius elektrinius laukus bei poliarizacinės THz spektroskopijos metodus temperatūrų ruože nuo 4 K iki 400 K.

EN - Two dimensional plasmons in GaN structures for optoelectronic applications in the THz range

Description not available