Inovacijos ir paslaugos

Atgal

Puslaidininkinių sistemų kūrimas ir gamyba

Lazeriai, šviestukai, diodai, tranzistoriai ir visi kiti šiuolaikinės elektronikos komponentai kuriami ir gaminami po vienu stogu! Pradedant veidrodžiais, skirtais sudėtingoms lazerinėms sistemoms ir baigiant naujos kartos dujų detektoriais ir spektrofotometrais. FTMC turima puslaidininkinių prietaisų gamybos ir kūrimo linija leidžia gaminti tiek komponentus, tiek galutinius prietaisų prototipus.  
 
 

Teikiamos paslaugos 


Švarių patalpų nuoma
. Turimos patalpos atitinka ISO5 (50 m2) ir ISO7 (352 m2) švarių patalpų reikalavimus. Patalpų planas 

Dvi molekulinių pluoštelių epiktaksijos (MBE) mašinos, galinčios gaminti III-V medžiagų grupės darinius iki 3‘‘ padėklų.
 
Pilna gamybos bei prototipavimo linija optoelektronikos įrenginiams ir puslaidininkiniams lazeriams.
 
Kvantinių kaskadinių lazerių (QCL) gamyba, bangos ilgis pagal pageidavimą:
  • InGaAsBi ant InP;
  • GaAs/GaAsBi ant GaAs;
  • GaAs/AlGaAs ant GaAs etc.
Kvantinių struktūrų gamyba, bangos ilgis pagal pageidavimą (nuo 760 nm iki 20 µm):
  • InGaAs/AlAsSb on InP (strain balanced);
  • InGaAs/AlInAs on InP (lattice matched and strain balanced);
  • InGaAs/InGaAs on InP (strain balanced);
  • InAs/AlSb on InAs (nearly lattice matched);
  • InAs/Al(As)Sb on InAs (lattice matched).
Plonų sluoksnių nusodinimas
  • Magnetroninio dulkinimo sistema;
  • Elektronų pluoštelio sistema (E-Beam);
  • PECVD sistema skirta SiNx, SiO2, Al2O3, SiC ir grafeno auginimui.
Litografija
  • Lazerinė litografija, su 600 nm skyra;
  • Karl Suss MJB3 kaukės taikytuvas su 1,5 µm skyra.
Metalo kontaktų užgarinimas.

Lazerinių diodų korpusavimas.

Turima įranga

Rinkai pateiktų lazerinių sistemų pavyzdžiai

InP pagrindo QCL lazerinės struktūros

Emisijos bangos ilgis ties 300 K

Aktyviosios srities sudėtis

Veikimo rėžimas

Įtampa

Maksimali galia

3.2 µm

In0.7GaAs/AlAs0.7Sb

Impulsinis

< 17 V

n/d

3.34 µm

In0.7GaAs/AlAs0.7Sb

Impulsinis

< 17 V

n/d

3.57 µm

In0.7GaAs/AlAs0.7Sb

Impulsinis

< 17 V

n/d

4.4 µm

In0.72GaAs/In0.235AlAs

Impulsinis

< 17 V

n/d

4.8 µm

In0.71GaAs/In0.199AlAs

Impulsinis

< 17 V

n/d

5.26 µm

In0.6GaAs/In0.421AlAs

Impulsinis

< 12 V

n/d

6.25 µm

In0.6GaAs/In0.398AlAs

Nuolatinės veikos

< 12 V

n/d

10.05 µm

In0.53GaAs/In0.52AlAs

Nuolatinės veikos

< 10 V

~100 mW


InAs pagrindo QCL lazerinės struktūros

Emisijos bangos ilgis ties 300 K

Aktyviosios srities sudėtis

Veikimo rėžimas

Įtampa

Maksimali galia

Maksimali veikimo temperatūra

2.98 µm

InAs/AlSb

Impulsinis

12÷17 V

> 200 mW

310 K

3.33 µm

InAs/AlSb

Impulsinis

12÷17 V

> 1 W

405 K

3.98 µm

InAs/AlSb

Impulsinis

12÷17 V

> 1 W

410 K

4.3 µm

InAs/AlSb

Impulsinis

12÷17 V

> 1 W

400 K

4.39 µm

InAs/AlSb

Impulsinis

12÷17 V

> 1 W

400 K

4.698 µm

InAs/AlSb

Impulsinis

12÷17 V

> 1 W

420 K

8.8 µm

InAs/AlSb

Nuolatinės veikos

< 10 V

> 50 mW

n/d

Su FTMC ateitis šviesi ir kompaktiška!

Norėdami užsakyti paslaugą ar gauti papildomos informacijos, susisiekite su mumis Jums patogiausiu būdu: el. paštu customer@ftmc.lt, žemiau nurodytais kontaktais arba užpildydami užklausos formą. Atsakysime per 2 darbo dienas.

Kontaktai


Karolis Stašys

Innovation Manager / Inovacijų vadybininkas

Tel.: +370 629 85166
El.p.: karolis.stasys@ftmc.lt